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龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利跨層互連結構的制備方法、跨層互連結構及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118352341B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410298110.4，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權跨層互連結構的制備方法、跨層互連結構及半導體器件是由吳恒;郭睿;盧浩然;孫嘉誠;王潤聲;黎明;黃如設計研發完成，并于2024-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本跨層互連結構的制備方法、跨層互連結構及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供一種跨層互連結構的制備方法、跨層互連結構及半導體器件。方法包括：提供一半導體襯底；在半導體襯底上形成一個或多個互連單元；其中，每一個互連單元通過依次執行以下步驟進行制備：在半導體襯底上依次沉積形成淺溝槽隔離結構和第一介質層；刻蝕第一介質層以形成第一凹槽，并在第一凹槽內沉積金屬材料，形成第一金屬結構；在第一金屬結構上形成第一金屬互連層；倒片并去除半導體襯底，以暴露淺溝槽隔離結構；在淺溝槽隔離結構上形成第二介質層；刻蝕第二介質層、淺溝槽隔離結構和第一介質層直至暴露第一金屬結構，形成第二凹槽，并在第二凹槽內沉積金屬材料，形成第二金屬結構；在第二金屬結構上形成第二金屬互連層。

本發明授權跨層互連結構的制備方法、跨層互連結構及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種跨層互連結構的制備方法，其特征在于，包括：提供一半導體襯底；在所述半導體襯底上形成一個或多個互連單元；其中，每一個互連單元通過依次執行以下步驟進行制備：在半導體襯底上依次沉積形成淺溝槽隔離結構和第一介質層；刻蝕所述第一介質層以形成第一凹槽，并在所述第一凹槽內沉積金屬材料，形成第一金屬結構；在所述第一金屬結構上形成第一金屬互連層，所述第一金屬互連層用于連通堆疊晶體管的第三金屬互連層；倒片并去除所述半導體襯底，以暴露所述淺溝槽隔離結構；在所述淺溝槽隔離結構上形成第二介質層；刻蝕所述第二介質層、所述淺溝槽隔離結構和所述第一介質層直至暴露所述第一金屬結構，形成第二凹槽，并在所述第二凹槽內沉積金屬材料，形成第二金屬結構；在所述第二金屬結構上形成第二金屬互連層，所述第二金屬互連層用于連通堆疊晶體管的第四金屬互連層；其中，所述第一金屬結構和所述第二金屬結構構成第一直連結構，所述第一直連結構連通所述第一金屬互連層和所述第二金屬互連層；所述方法還包括：沿第一方向，在所述第一介質層的第一側形成第一擬柵結構，在所述第二介質層的第一側形成第二擬柵結構；所述第一擬柵結構和所述第二擬柵結構相對設置；基于所述第一擬柵結構，形成第一單擴散隔斷結構；基于所述第二擬柵結構，形成第二單擴散隔斷結構；所述第一單擴散隔斷結構和所述第二單擴散隔斷結構用于隔離所述第一直連結構與其他外部結構。

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