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龍圖騰網(wǎng)恭喜應用材料公司申請的專利用于通過PECVD進行Si間隙填充的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112335032B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-11發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980023731.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)用于通過PECVD進行Si間隙填充的方法是由劉鑫;F·王;程睿;A·B·瑪里克;R·J·維瑟設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-03-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于通過PECVD進行Si間隙填充的方法在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及用于填充溝槽的工藝。所述工藝包括在層的表面上沉積第一非晶硅層，并在所述層中形成的溝槽的一部分中沉積第二非晶硅層，并且所述溝槽的側(cè)壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅層。所述工藝進一步包括在所述層的所述表面上沉積第三非晶硅層，并在所述第二非晶硅層上沉積第四非晶硅層。去除所述第三非晶硅層。可重復沉積去除循環(huán)工藝，直到所述溝槽被非晶硅層填充為止。由于所述非晶硅層是自下而上形成的，因此所述非晶硅層在所述溝槽中形成無縫非晶硅間隙填充。

本發(fā)明授權(quán)用于通過PECVD進行Si間隙填充的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種方法，包括：將設(shè)置在工藝腔室中的基板加熱到在150攝氏度至650攝氏度的范圍內(nèi)的溫度；使含硅的前驅(qū)物流動到所述工藝腔室中；在所述基板中形成的特征的底部上沉積第一非晶硅層，并在所述基板的表面上沉積第二非晶硅層，所述特征的每個側(cè)壁的第一部分與所述第一非晶硅層接觸，并且每個側(cè)壁的第二部分是暴露的；以及去除所述第二非晶硅層；其中通過等離子體增強化學氣相沉積工藝來沉積所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層，并且其中所述等離子體增強化學氣相沉積工藝的等離子體功率密度在0.14Wcm2至2.83Wcm2的范圍內(nèi)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。