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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種溝槽保護圈結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111128959B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811289747.8，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權一種溝槽保護圈結構及其形成方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種溝槽保護圈結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種溝槽保護圈結構及其形成方法，形成方法包括：提供一基底，基底具有多個芯片區域，在相鄰芯片區域間設置保護圈區域；在保護圈區域內形成溝槽，在溝槽內形成字線結構，字線結構上表面不高于基底上表面；在基底上層疊狀設置多個金屬互連層，相鄰的金屬互連層之間設置金屬間介電層，于金屬間介電層內形成多個第一連接件連接相鄰的金屬互連層，最底層的金屬互連層與基底間設置層間介電層，于層間介電層中設置多個第二連接件，多個第二連接件中的至少一個使最底層的金屬互連層與字線結構連接，從而形成溝槽保護圈結構。本發明的方法形成的溝槽保護圈結構能夠減少字線通道的泄露路徑，同時能夠避免浮動節點電位浮動。

本發明授權一種溝槽保護圈結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽保護圈結構的形成方法，包括：提供一基底，所述基底具有多個芯片區域，在相鄰所述芯片區域間設置保護圈區域；在所述保護圈區域內形成溝槽，在所述溝槽內形成字線結構，所述字線結構上表面不高于基底上表面，所述保護圈區域中的所述溝槽內的所述字線結構電位接地；在所述基底上層疊狀設置多個金屬互連層，相鄰的所述金屬互連層之間設置金屬間介電層，于所述金屬間介電層內形成第一連接件連接相鄰的所述金屬互連層，最底層的所述金屬互連層與所述基底間設置層間介電層，于所述層間介電層中設置第二連接件，使最底層的所述金屬互連層與所述字線結構連接，從而形成溝槽保護圈結構；其中，所述溝槽保護圈結構中包含多個所述溝槽以及多個所述字線結構，所述溝槽的數量與所述字線結構的數量相同，且所述字線以及所述溝槽的數量為2或2的倍數，最底層的所述金屬互連層與多個字線結構中的至少一個通過所述第二連接件相連接。

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