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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111211091B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811391794.3，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件及其制備方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-11-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：提供一種半導體器件及其制備方法，包括：提供基底，在所述基底中形成溝槽；將第一電介質填充部分所述溝槽；對所述第一電介質的進行離子注入處理，所述離子注入處理的溫度是50?300℃；重復填充所述第一電介質并對其進行離子注入處理步驟至所述溝槽的一定深度；將第二電介質填充滿所述溝槽；以及熱處理填充在所述溝槽的電介質使其固化；其中，在填充所述第二電介質之前所述溝槽未被填充滿。本發明的半導體器件的制備方法，重復可流動電介質部分填充溝槽、隨后離子注入處理可流動電介質步驟，可以分步釋放固化時產生的應力，從而不會在最后的熱處理步驟中導致應力過于集中，進而避免有源區域倒塌的發生。

本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底中形成溝槽；將第一電介質填充部分所述溝槽；對所述第一電介質的進行離子注入處理，所述離子注入處理的溫度是50-300℃，所述離子注入處理將第一電介質部分固化；所述第一電介質進行離子注入處理后的高度為以所述溝槽底部為基準、所述溝槽深度的17至13處；重復填充所述第一電介質并對其進行離子注入處理步驟至所述溝槽的一定深度；將第二電介質填充滿所述溝槽；以及熱處理填充在所述溝槽的電介質使其固化；其中，在填充所述第二電介質之前所述溝槽未被填充滿。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。