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龍圖騰網恭喜重慶郵電大學申請的專利一種大尺寸層狀GeSb₄Te₇單晶及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118996632B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411115126.3，技術領域涉及：C30B29/52；該發明授權一種大尺寸層狀GeSb₄Te₇單晶及其制備方法是由陳鵬;吳宏;閆艷慈;李登峰;劉俊;丁光前設計研發完成，并于2024-08-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種大尺寸層狀GeSb₄Te₇單晶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于材料制備技術領域，具體涉及一種大尺寸層狀GeSb4Te7單晶及其制備方法。本發明方法包括1稱量原料Ge顆粒、Sb顆粒和Te顆粒；2將原料顆粒置于石英坩堝并抽真空；3將石英坩堝固定于立式爐的爐膛的溫度梯度區，進行程序控溫，獲得單晶錠體；4將裝單晶錠體的石英坩堝的位置調節到所述立式爐熱電偶位置的上下各3cm區域范圍內退火處理，隨后得到所述大尺寸層狀GeSb4Te7單晶。

本發明授權一種大尺寸層狀GeSb₄Te₇單晶及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種大尺寸層狀GeSb4Te7單晶的制備方法，其特征在于，所述制備方法為降溫法，具體步驟如下：S01：稱量原料Ge顆粒、Sb顆粒和Te顆粒，所述Ge顆粒、Sb顆粒和Te顆粒的摩爾比為19~21：77~83：137~143，將稱量好的原料顆粒混合均勻；S02：將混合均勻的所述原料顆粒置于石英坩堝中，并對所述石英坩堝進行抽真空封裝；S03：將封裝后的所述石英坩堝固定于立式爐的爐膛的溫度梯度區，此時所述石英坩堝尖端距離爐膛最下端得到距離為6-12cm，設置所述立式爐的控溫程序，使溫度以0.5-1.5℃min的速率升溫至900-1050℃，使所述石英坩堝中的原料處于熔融狀態，并保持3-20h；S04：調節所述立式爐的控溫程序，使溫度以0.5-5℃min的速率降至700-850℃；S05：進一步調節所述立式爐的控溫程序，使溫度以0.5-2℃h的速率降至500-600℃，使所述石英坩堝中處于熔融狀態的材料完成析晶，獲得單晶錠體；S06：將裝載所述單晶錠體的石英坩堝的位置調節到所述立式爐熱電偶位置的上下各3cm區域范圍內，退火處理；所述退火處理為在300-500℃下退火4-8h；S07：控制所述立式爐的溫度自動降溫至常溫，獲得所述大尺寸層狀GeSb4Te7單晶。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶郵電大學，其通訊地址為：400065 重慶市南岸區南山街道崇文路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。