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龍圖騰網恭喜浙江晶越半導體有限公司申請的專利一種用于生產無色莫桑石的坩堝及生產無色莫桑石的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118718882B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411206887.X，技術領域涉及：B01J6/00；該發明授權一種用于生產無色莫桑石的坩堝及生產無色莫桑石的方法是由高冰;李俊設計研發完成，并于2024-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于生產無色莫桑石的坩堝及生產無色莫桑石的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及莫桑石生產技術領域，尤其涉及一種用于生產無色莫桑石的坩堝及生產無色莫桑石的方法，所述坩堝包括坩堝主體以及坩堝蓋，所述坩堝主體內部設置有一空腔，所述空腔從下至上依次包括用于放置碳化硅粉源的粉源區以及用于輸送碳化硅氣體的自由流動區，所述粉源區上方設置有一個過濾層，所述過濾層內部填充有用于吸附從粉源區流出的碳化硅升華氣中的雜質氣體的吸附劑，所述自由流動區內部還設置有環繞坩堝主體內壁一周的保溫組件，所述坩堝蓋下方設置有一用于粘結籽晶的籽晶石墨組。本申請通過在坩堝主體內部設置有一個填充有吸附劑的過濾層能夠有效去除碳化硅升華氣中的小顆粒雜質以及雜質氣體有效防止莫桑石出現雜色的問題。

本發明授權一種用于生產無色莫桑石的坩堝及生產無色莫桑石的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于生產無色莫桑石的坩堝，其特征在于，包括坩堝主體（1）以及坩堝蓋（2），所述坩堝主體（1）內部設置有一空腔（3），所述空腔（3）從下至上依次包括用于放置碳化硅粉源的粉源區（4）以及用于輸送碳化硅氣體的自由流動區（5），所述粉源區（4）上方設置有一個過濾層（6），所述過濾層（6）內部填充有用于吸附從粉源區（4）流出的碳化硅升華氣中的雜質氣體的吸附劑（7），所述自由流動區（5）內部還設置有環繞坩堝主體（1）內壁一周的保溫組件（8），所述保溫組件（8）架設在過濾層（6）的上方，所述坩堝蓋（2）下方設置有一用于粘結籽晶（9）的籽晶石墨組（10），所述籽晶石墨組（10）包括一個硬質的石墨基底（15）以及與石墨基底（15）相粘結的柔性基底（16），所述籽晶（9）粘結于所述柔性基底（16）的底部，所述柔性基底選自聚酰亞胺薄膜、聚硅氧烷薄膜、超薄玻璃中的一種或多種的組合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江晶越半導體有限公司，其通訊地址為：312400 浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號9號廠房二樓202室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。