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龍圖騰網(wǎng)恭喜湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利功率器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119181727B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411704684.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)功率器件是由劉杰;蔡文必;林志東;郭元旭;李立均設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-11-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本功率器件在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β势骷谶吘壗K端區(qū)內(nèi)，半導(dǎo)體外延片包括沿底部到頂部方向交替層疊設(shè)置的多個(gè)第一外延層以及多個(gè)第二外延層；第二外延層包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；第一摻雜區(qū)環(huán)繞有源區(qū)一周形成第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)；第一外延層和第一摻雜區(qū)為第一導(dǎo)電類型，第二摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電類型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏時(shí)承受的耐壓。且進(jìn)一步設(shè)置相鄰兩個(gè)第二外延層中的第一摻雜區(qū)在襯底上的投影不完全重疊，能夠增加電流路徑長(zhǎng)度，從而進(jìn)一步地增加器件在反偏時(shí)外延層承受的耐壓。以此，在器件耐壓相同的情況下，本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β势骷軌驕p小邊緣終端區(qū)的尺寸，減少芯片面積的浪費(fèi)。

本發(fā)明授權(quán)功率器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種功率器件，其特征在于，包括：襯底；半導(dǎo)體外延片，設(shè)置于所述襯底上；所述半導(dǎo)體外延片包括有源區(qū)和圍繞所述有源區(qū)外的邊緣終端區(qū)；在所述有源區(qū)內(nèi)，所述半導(dǎo)體外延片內(nèi)具有間隔設(shè)置的若干半導(dǎo)體元胞，若干所述半導(dǎo)體元胞均從所述半導(dǎo)體外延片遠(yuǎn)離所述襯底的表面朝向所述襯底的方向延伸，所述半導(dǎo)體元胞包括相接的阱區(qū)、阱區(qū)接觸區(qū)以及源區(qū)；其中，定義所述襯底一側(cè)為底部，所述半導(dǎo)體元胞一側(cè)為頂部；在所述邊緣終端區(qū)內(nèi)，所述半導(dǎo)體外延片包括沿所述底部到所述頂部方向交替層疊設(shè)置的多個(gè)第一外延層以及多個(gè)第二外延層；所述第二外延層包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；所述第一摻雜區(qū)環(huán)繞所述有源區(qū)一周形成第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)；所述第一外延層和所述第一摻雜區(qū)為第一導(dǎo)電類型，所述第二摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電類型；相鄰兩個(gè)所述第二外延層中的所述第一摻雜區(qū)在所述襯底上的投影不完全重疊。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，其通訊地址為：410217 湖南省長(zhǎng)沙市高新開發(fā)區(qū)長(zhǎng)興路399號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。