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龍圖騰網恭喜長春長光圓辰微電子技術有限公司申請的專利一種TMBS器件的制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119300443B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411783072.8，技術領域涉及：H10D62/80；該發明授權一種TMBS器件的制備工藝是由蔡雨杉;李闖;李曉望;馬浩博設計研發完成，并于2024-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種TMBS器件的制備工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體領域，具體涉及一種TMBS器件的制備工藝，包括以下步驟：步驟1，將硅基片依次經過切割、拋光、清洗和干燥后，作為襯底材料使用；步驟2，在襯底材料的上表面形成外延層；步驟3，通過刻蝕的方式處理外延層形成溝槽，溝槽的內表面形成氧化層，再多晶硅填充；步驟4，設置肖特基勢壘層，設置金屬電極，通過金屬電極引出正負極，即完成TMBS器件的制備。本發明所制備的器件以硒化鍺鉍作為外延層，很好的改善了器件的擊穿特性與漏電流的不穩定因素，提升了耐擊穿性和降低了漏電流密度，從而提高了器件的可靠性。

本發明授權一種TMBS器件的制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種TMBS器件的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：步驟1，將硅基片依次經過切割、拋光、清洗和干燥后，作為襯底材料使用；步驟2，在襯底材料的上表面形成外延層，其中，外延層的材質為硒化鍺鉍，是通過化學氣相沉積法的方式生長于襯底材料上表面；步驟3，通過刻蝕的方式處理外延層，形成陣列排列的U型溝槽，之后先在溝槽的內表面形成氧化層，再使用多晶硅將溝槽完全填充；步驟4，將外延層的上表面除去溝槽的部分設置肖特基勢壘層，然后在肖特基勢壘層和襯底材料的下表面分別設置金屬電極，通過金屬電極引出正負極，即完成TMBS器件的制備；所述步驟2中，外延層的制備過程包括：S1、先將四甲基鍺、三甲基鉍以及二甲基硒混合在容器內，通入氫氣作為保護氣，升溫至全部氣化后，得到混合氣體；S2、把襯底材料放置于沉積設備的反應室內，抽真空后通入氫氣，保持壓力為150-250mbar，然后升溫至250-350℃，逐漸通入混合氣體，然后升溫至550-650℃，并控制壓力為450-550mbar；S3、恒溫恒壓處理直至襯底材料表面沉積厚度達到5-15μm后，停止通氣，并緩慢降溫降壓至常溫常壓，完成硒化鍺鉍的沉積；所述S1中，四甲基鍺、三甲基鉍、二甲基硒和氫氣的質量比例為0.7-1.4:1.2-2.4:3-8:10-20。

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