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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)的專利一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119364832B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411929987.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件及其制備方法是由武樂可;李亦衡;朱廷剛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于GaN功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件及其制備方法。本發(fā)明提供的高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件，包括設(shè)置在所述GaN緩沖層部分上表面的空穴阻擋層；所述源極場板的初始端位于所述源極上表面，所述源極場板的末端的邊緣在所述緩沖層上表面的投影位置位于所述空穴阻擋層在所述GaN緩沖層上表面的投影面積之內(nèi)；所述空穴阻擋層的材料為N型GaN。本發(fā)明提供的GaN功率器件在所述GaN緩沖層的上表面特定區(qū)域位置增加了一層N型GaN材料的空穴阻擋層，能夠有效起到空穴阻擋的作用，阻止碰撞電離產(chǎn)生的空穴向柵極移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)了高的閾值穩(wěn)定性，具有較好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高閾值穩(wěn)定性GaN功率器件，其特征在于，包括襯底層；設(shè)置在所述襯底層上表面的GaN緩沖層；設(shè)置在所述GaN緩沖層部分上表面的空穴阻擋層；設(shè)置在所述GaN緩沖層剩余上表面和所述空穴阻擋層上表面的GaN溝道層；設(shè)置在所述GaN溝道層上表面的AlGaN勢壘層；設(shè)置在所述AlGaN勢壘層部分上表面的柵極；與所述GaN溝道層和所述AlGaN勢壘層歐姆接觸的源極；與所述GaN溝道層和所述AlGaN勢壘層歐姆接觸的漏極；與所述源極上表面固定連接的源極場板，所述源極場板的初始端位于所述源極上表面，所述源極場板的末端的邊緣在所述緩沖層上表面的投影位置位于所述空穴阻擋層在所述GaN緩沖層上表面的投影面積的區(qū)域之內(nèi)；所述空穴阻擋層的材料為N型GaN。

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