恭喜江蘇能華微電子科技發展有限公司武樂可獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜江蘇能華微電子科技發展有限公司申請的專利一種高閾值穩定性GaN功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119364832B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411929987.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種高閾值穩定性GaN功率器件及其制備方法是由武樂可;李亦衡;朱廷剛設計研發完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高閾值穩定性GaN功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于GaN功率器件技術領域，具體涉及一種高閾值穩定性GaN功率器件及其制備方法。本發明提供的高閾值穩定性GaN功率器件，包括設置在所述GaN緩沖層部分上表面的空穴阻擋層；所述源極場板的初始端位于所述源極上表面，所述源極場板的末端的邊緣在所述緩沖層上表面的投影位置位于所述空穴阻擋層在所述GaN緩沖層上表面的投影面積之內；所述空穴阻擋層的材料為N型GaN。本發明提供的GaN功率器件在所述GaN緩沖層的上表面特定區域位置增加了一層N型GaN材料的空穴阻擋層，能夠有效起到空穴阻擋的作用，阻止碰撞電離產生的空穴向柵極移動，從而實現了高的閾值穩定性，具有較好的應用前景。
本發明授權一種高閾值穩定性GaN功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高閾值穩定性GaN功率器件，其特征在于，包括襯底層；設置在所述襯底層上表面的GaN緩沖層；設置在所述GaN緩沖層部分上表面的空穴阻擋層；設置在所述GaN緩沖層剩余上表面和所述空穴阻擋層上表面的GaN溝道層；設置在所述GaN溝道層上表面的AlGaN勢壘層；設置在所述AlGaN勢壘層部分上表面的柵極；與所述GaN溝道層和所述AlGaN勢壘層歐姆接觸的源極；與所述GaN溝道層和所述AlGaN勢壘層歐姆接觸的漏極；與所述源極上表面固定連接的源極場板，所述源極場板的初始端位于所述源極上表面，所述源極場板的末端的邊緣在所述緩沖層上表面的投影位置位于所述空穴阻擋層在所述GaN緩沖層上表面的投影面積的區域之內；所述空穴阻擋層的材料為N型GaN。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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