恭喜咸亨國際(杭州)電氣制造有限公司;咸亨電氣技術(杭州)有限公司;咸亨國際科技股份有限公司丁一獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜咸亨國際(杭州)電氣制造有限公司;咸亨電氣技術(杭州)有限公司;咸亨國際科技股份有限公司申請的專利一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法及系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119364210B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411934278.6,技術領域涉及:H04N25/671;該發明授權一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法及系統是由丁一;徐明;李文國;林化夷;馬秉宇設計研發完成,并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法及系統在說明書摘要公布了:本說明書實施例公開了一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法及系統,實時對校正輸出數據進行校正效果分析,并通過多種方式對校正效果不符合條件的校正輸出數據進行二次修正,實現實時修正,以保證非均勻性校正的效果,并且在二次修正后的校正輸出數據仍不滿足要求時中斷工作重新測試得到新的校正數據,以新的校正數據對MEMS陣列傳感器內部存儲的校正數據進行更新,從而有效消除MEMS陣列傳感器的外部干擾因素對非均勻性校正的校正效果的影響。
本發明授權一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法及系統在權利要求書中公布了:1.一種MEMS陣列傳感器的非均勻性校正方法,所述MEMS陣列傳感器包括多個呈陣列排布傳感器陣元,其特征在于,所述校正方法包括:獲取初始校正數據、修正模型,并將初始校正數據作為當前校正數據;獲取MEMS陣列傳感器在工作環境中采集得到的陣列數據,并基于當前校正數據校正陣列數據,以得到包括每一傳感器陣元各自對應的校正陣元值的校正輸出數據;基于校正輸出數據獲取MEMS陣列傳感器中的第一壞點陣元數量以及壞點陣元分布情況;基于第一壞點陣元數量、壞點陣元分布情況選擇通過均值近似法或修正模型獲取修正后校正輸出數據,其中,所述均值近似法根據壞點陣元周圍多個傳感器陣元的校正陣元值的均值修正壞點陣元的校正陣元值,所述修正模型根據MEMS陣列傳感器的外部干擾因素輸出修正后校正數據對陣列數據進行二次校正;基于修正后校正輸出數據獲取第二壞點陣元數量;當選擇通過均值近似法對校正輸出數據進行修正,以獲取修正后校正輸出數據,且第二壞點陣元數量小于第一預設值時,輸出修正后校正輸出數據;當選擇通過修正模型對校正輸出數據進行修正,以獲取修正后校正輸出數據,且修正后校正輸出數據的第二壞點陣元數量小于第一預設值時,輸出修正后校正輸出數據,并將修正后校正數據作為新的當前校正數據返回所述獲取MEMS陣列傳感器在工作環境中采集得到的陣列數據,并基于當前校正數據校正陣列數據,以得到包括每一傳感器陣元各自對應的校正陣元值的校正輸出數據的步驟;當第二壞點陣元數量大于或等于第一預設值時,獲取MEMS陣列傳感器在測試環境中采集得到的測試陣列數據,基于測試陣列數據獲取測算校正數據,并將測算校正數據作為新的當前校正數據返回所述獲取MEMS陣列傳感器在工作環境中采集得到的陣列數據,并基于當前校正數據校正陣列數據,以得到包括每一傳感器陣元各自對應的校正陣元值的校正輸出數據的步驟。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人咸亨國際(杭州)電氣制造有限公司;咸亨電氣技術(杭州)有限公司;咸亨國際科技股份有限公司,其通訊地址為:310011 浙江省杭州市拱墅區咸亨科技大廈301室-1;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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