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龍圖騰網恭喜湖南匯思光電科技有限公司申請的專利一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119362136B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411930583.8，技術領域涉及：H01S5/02；該發明授權一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法是由楊駿捷;曾冬妮;付慧清;潘淑潔設計研發完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法在說明書摘要公布了：一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法，包括：S1、將N型襯底去除氧化層，并分別進行N型GaAs緩沖層、N型AlvGa1?vAs限制層以及GaAs波導層一生長；S2、在GaAs波導層一上分別進行InwGa1?wAs量子阱、InAs量子點、InxGa1?xAs蓋層、GaAs蓋層、GaAs間隔層一等的生長；S3、循環S2設定次數，從而實現多層量子點材料的生長；S4、在GaAs間隔層二上分別進行GaAs波導層二、P型AlzGa1?zAs限制層以及P型GaAs金屬接觸層生長。本發明利用晶格常數較小的GaAsP材料，減少了InGaAs材料所帶來的應力，以提高多層量子點激光器結構的均勻性和質量。

本發明授權一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法在權利要求書中公布了：1.一種基于應力補償技術的多層量子點激光器生長方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、將N型襯底去除氧化層，并在去除氧化層后的N型襯底上分別進行N型GaAs緩沖層、N型AlvGa1-vAs限制層以及GaAs波導層一生長；v組分為20%~90%；S2、在GaAs波導層一上分別進行InwGa1-wAs量子阱、InAs量子點、InxGa1-xAs蓋層、GaAs蓋層、GaAs間隔層一、P型GaAsyP1-y蓋層以及GaAs間隔層二生長；S3、循環S2設定次數，從而實現多層量子點材料的生長；S4、在GaAs間隔層二上分別進行GaAs波導層二、P型AlzGa1-zAs限制層以及P型GaAs金屬接觸層生長；所述襯底選用GaAs襯底。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南匯思光電科技有限公司，其通訊地址為：413000 湖南省長沙市岳麓區岳麓山大學科技城岳麓街道科技創意園5棟328房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。