恭喜淮安澳洋順昌光電技術有限公司宋長偉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜淮安澳洋順昌光電技術有限公司申請的專利一種LED芯片及其制備方法、半導體發光元件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119384117B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411945191.9,技術領域涉及:H10H20/812;該發明授權一種LED芯片及其制備方法、半導體發光元件是由宋長偉;葉大千;連偉杰;郭園;黃理承;蘆玲設計研發完成,并于2024-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種LED芯片及其制備方法、半導體發光元件在說明書摘要公布了:本發明涉及發光二極管技術領域,具體而言,涉及一種LED芯片及其制備方法、半導體發光元件。LED芯片包括第一半導體層、發光層和第二半導體層,發光層包括綠光發光區、藍光發光區和增補發光區;增補肼層In濃度≥藍光肼層In濃度,增補肼層厚度>藍光肼層厚度。通過在藍光發光區之后生長增補發光區,增補發光區的阱層較厚,其能障較低,可以拉動整個發光區的能帶,改變載流子在整個量子阱中的分布,使載流子分布更靠近第二半導體層側,且增補區因其有較厚的肼層,可以緩沖與后面第二半導體層產生的失配應力,減少后續生長對發光區的破壞,從而提升整個器件的亮度;最后,增補發光發出的波長與藍光發光區接近,可增強藍光發光區的強度。
本發明授權一種LED芯片及其制備方法、半導體發光元件在權利要求書中公布了:1.一種LED芯片,其特征在于,包括襯底、第一半導體層、發光層和第二半導體層,所述發光層包括依次設置在所述第一半導體層上的綠光發光區、藍光發光區和增補發光區;所述增補發光區中增補阱層的In濃度>所述藍光發光區中藍光阱層的In濃度;和或,所述增補發光區中增補阱層的厚度>所述藍光發光區中藍光阱層的厚度,且所述增補發光區中增補阱層的厚度與所述藍光發光區中藍光阱層的厚度之比為1.1~5:1;所述增補發光區發出的增補光的波長范圍在410nm~480nm之間。
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