買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜珠?；萍加邢薰?/a>申請的專利一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119461381B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510061620.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C01B33/06；該發(fā)明授權(quán)一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法。其中，粉體的制備方法包括：按照鉬：硅的原子比為1：x取鉬粉和硅粉進行混合，得到鉬硅混合料；再置于真空燒結(jié)設(shè)備中進行1150℃?1410℃真空燒結(jié)，得到MoSix塊體；將MoSix塊體破碎，得到MoSix粉體。該制備方法能夠制得純度高、含氧量低、粒徑小的MoSix粉體，所得MoSix粉體可用于制備高純、低氧、微觀組織均勻的鉬硅靶材，進而能夠沉積出致密均勻的鉬硅化合物膜，提高相移掩膜版的產(chǎn)品良率，有利于形成高對比度、高分辨率的顯影圖案，提升半導體器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MoSix粉體的制備方法，其特征在于，包括：按照鉬：硅的原子比為1：x取鉬粉和硅粉進行混合，得到鉬硅混合料；其中，x≥2；將所述鉬硅混合料置于真空燒結(jié)設(shè)備中進行真空燒結(jié)，得到MoSix塊體，所述真空燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1150℃-1410℃；所述真空燒結(jié)過程中持續(xù)抽真空；將所述MoSix塊體破碎至顆粒D50粒徑為2μm-20μm，且[D90-D10D50]≤2.5，得到MoSix粉體。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人珠?；萍加邢薰?/a>，其通訊地址為：519050 廣東省珠海市金灣區(qū)南水鎮(zhèn)南水社區(qū)南港中路18號1棟602室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。