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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利在襯底表面形成膜的方法、設(shè)備及形成的膜獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114657540B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011551936.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)在襯底表面形成膜的方法、設(shè)備及形成的膜是由安重鎰;金成基;項(xiàng)金娟;李亭亭;劉青設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本在襯底表面形成膜的方法、設(shè)備及形成的膜在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在襯底表面形成膜的方法，包括以下步驟：將前驅(qū)體氣化成前驅(qū)體蒸氣；在前驅(qū)體蒸氣輸送至沉積腔室內(nèi)的過程中，通過先壓縮再膨脹提高前驅(qū)體蒸氣的供氣流量，以在沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。提高了前驅(qū)體蒸氣的供氣流量，這樣可以將前驅(qū)體蒸氣輸送到襯底中心以及沉積腔室的頂部區(qū)域，避免襯底中心前驅(qū)體蒸氣供應(yīng)不足，從而在沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。

本發(fā)明授權(quán)在襯底表面形成膜的方法、設(shè)備及形成的膜在權(quán)利要求書中公布了：1.一種在襯底表面形成膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：使用氣化裝置將前驅(qū)體氣化成前驅(qū)體蒸氣；使用沉積腔室接收所述前驅(qū)體蒸氣；所述氣化裝置與所述沉積腔室之間設(shè)置有流量控制閥門，所述前驅(qū)體蒸氣經(jīng)由所述流量控制閥門流入所述沉積腔室，在所述前驅(qū)體蒸氣輸送至沉積腔室內(nèi)的過程中，關(guān)閉流量控制閥門1-3秒后再將其打開，通過先壓縮再膨脹提高所述前驅(qū)體蒸氣的供氣流量，以在所述沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。