恭喜中國科學院微電子研究所王魁波獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所申請的專利氣浴發生器及光刻設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115390365B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210952172.3，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權氣浴發生器及光刻設備是由王魁波;吳曉斌;羅艷;沙鵬飛;韓曉泉;李慧;謝婉露;高梓翔設計研發完成，并于2022-08-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本氣浴發生器及光刻設備在說明書摘要公布了：本發明涉及光刻技術領域，提供了一種氣浴發生器及光刻設備，其中氣浴發生器包括環體結構和出風口加強結構，環體結構設有豁口，環體結構在豁口處形成相對設置的兩端；出風口加強結構設于兩端，出風口加強結構包括第二出氣口；環體結構用于圍繞工作區域設置，且環體結構內形成有氣體流道，環體結構上設置有與氣體流道連通的沿周向分布的多個第一出氣口，第二出氣口與氣體流道連通，流經第一出氣口的氣體能夠形成圍繞工作區域分布的封閉氣流層，流經第二出氣口的氣體能夠形成封閉氣流層和封堵豁口的封堵氣流層。本發明提供的氣浴發生器及光刻設備，很好地解決了如何降低光刻設備內硅片微環境的氣體污染和顆粒污染的問題。
本發明授權氣浴發生器及光刻設備在權利要求書中公布了：1.一種氣浴發生器，其特征在于，包括環體結構和出風口加強結構，所述環體結構設有豁口，所述環體結構在所述豁口處形成相對設置的兩端；所述出風口加強結構設于所述兩端，所述出風口加強結構包括第二出氣口；所述環體結構用于圍繞工作區域設置，且所述環體結構內形成有氣體流道，所述環體結構上設置有與所述氣體流道連通的沿周向分布的多個第一出氣口，所述第二出氣口與所述氣體流道連通，流經所述第一出氣口的氣體能夠形成圍繞所述工作區域分布的封閉氣流層，流經所述第二出氣口的氣體能夠形成所述封閉氣流層和封堵所述豁口的封堵氣流層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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