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龍圖騰網恭喜江蘇凱威特斯半導體科技有限公司申請的專利一種上電極的清洗方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119028795B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411357433.2，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種上電極的清洗方法是由桂傳書;朱文健;李偉東;丁瑞華;陳開清;范彥麗;杜薛林;李家鵬;薛弘宇;嚴汪學設計研發完成，并于2024-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種上電極的清洗方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種上電極的清洗方法，屬于半導體制造技術領域，包括上電極激光清洗步驟：在第一功率下，利用激光束對上電極表面進行激光清洗；氧氣等離子清洗：在第二功率下，通入含有氧氣的第一混合氣體，對表面殘留污染物進行氧化生成無害氣體；氮氣等離子清洗步驟：在第三功率下，通入含有氮氣的第二混合氣體，去除部件表面殘留惰性污染物；二氧化碳干冰工藝清洗步驟；純水超聲步驟，然后吹干；烘干冷卻步驟：純水超聲步驟處理后進行烘干、冷卻，得清洗后的上電極。本發明刻蝕腔上電極的非接觸式清洗方法，通過非接觸式清洗步驟和降低環境造成污染，同時降低對母材和環境和人體的潛在危害。

本發明授權一種上電極的清洗方法在權利要求書中公布了：1.一種上電極的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：上電極激光清洗步驟：在第一功率下，利用激光束對上電極表面進行激光清洗；氧氣等離子清洗：在第二功率下，通入含有氧氣的第一混合氣體，對表面殘留污染物進行氧化反應；氮氣等離子清洗步驟：在第三功率下，通入含有氮氣的第二混合氣體，用于去除上電極表面殘留惰性污染物；二氧化碳干冰工藝清洗步驟：將所述上電極在第四功率下，進行二氧化碳干冰工藝清洗；純水超聲步驟：二氧化碳干冰工藝清洗后進行純水超聲處理，然后吹干；烘干冷卻步驟：純水超聲步驟處理后進行烘干、冷卻，得清洗后的上電極；所述上電極激光清洗步驟中，所述第一功率為300W-600W，激光頻率為40Hz-70Hz，激光脈寬為300ns-700ns，激光掃描頻率為20Hz-100Hz；所述上電極的清洗方法的清洗步驟順序依次為上電極激光清洗步驟、氧氣等離子清洗、氮氣等離子清洗步驟、二氧化碳干冰工藝清洗步驟、純水超聲步驟和烘干冷卻步驟。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇凱威特斯半導體科技有限公司，其通訊地址為：214100 江蘇省無錫市錫山經濟技術開發區團結路31號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。