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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學申請的專利半導體封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119050076B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411519126.X，技術領域涉及：H01L23/44；該發明授權半導體封裝結構是由金銳;李文源;李學寶;崔翔;李哲洋;趙志斌;周揚設計研發完成，并于2024-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體封裝結構，半導體封裝結構包括：封裝殼，具有第一腔體，封裝殼包括基板；半導體芯片，連接在基板上；端子部，與半導體芯片的電極電連接；其中，封裝殼上設置有第一進口和第一出口，第一進口和第一出口均與第一腔體連通以使得絕緣散熱介質能夠通過第一進口進入至第一腔體內并通過第一出口流出至第一腔體的外部，半導體芯片浸沒于絕緣散熱介質。本申請的技術方案能夠有效地解決相關技術中的功率半導體器件的散熱效果不理想的問題。

本發明授權半導體封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：封裝殼（10），具有第一腔體（111），所述封裝殼（10）包括基板（20）；半導體芯片（30），連接在所述基板（20）上；端子部（40），與所述半導體芯片（30）的電極電連接；其中，所述封裝殼（10）上設置有第一進口（12）和第一出口（13），所述第一進口（12）和所述第一出口（13）均與所述第一腔體（111）連通以使得絕緣散熱介質能夠通過所述第一進口（12）進入至所述第一腔體（111）內并通過所述第一出口（13）流出至所述第一腔體（111）的外部，所述半導體芯片（30）浸沒于所述絕緣散熱介質；所述半導體封裝結構還包括與基板（20）連接的散熱件（50），所述散熱件（50）和所述半導體芯片（30）位于所述基板（20）的兩側；所述封裝殼（10）還包括第二蓋板（17）和第二圍板（19），所述第二圍板（19）設置在所述第二蓋板（17）和所述基板（20）之間以形成第二腔體（112），所述散熱件（50）位于所述第二腔體（112）內，所述第二圍板（19）上設置有與所述第二腔體（112）連通的第二進口（14）和第二出口（15），以使得過流散熱介質能夠通過所述第二進口（14）進入至所述第二腔體（112）內并通過所述第二出口（15）流出至所述第二腔體（112）的外部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。