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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學申請的專利半導體封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119028965B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411519127.4，技術領域涉及：H01L25/18；該發明授權半導體封裝結構是由李文源;李學寶;呂旭哲;梁玉;金銳;崔翔;李哲洋;趙志斌;趙波設計研發完成，并于2024-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體封裝結構，其中，半導體封裝結構包括：封裝殼，包括基板；第一芯片模塊，與基板連接，第一芯片模塊包括多個第一半導體芯片，多個所述第一半導體芯片并聯連接；第二芯片模塊，與基板連接，第二芯片模塊與第一芯片模塊串聯連接；第一功率端子，與第一芯片模塊導電連接；第二功率端子，與第二芯片模塊導電連接。本申請的技術方案能夠有效地解決相關技術中的功率半導體器件難以兼顧高電壓等級和成本的問題。

本發明授權半導體封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：封裝殼（10），包括基板（11）；第一芯片模塊（40），與所述基板（11）連接，所述第一芯片模塊（40）包括多個第一半導體芯片，多個所述第一半導體芯片并聯連接；第二芯片模塊（50），與所述基板（11）連接，所述第二芯片模塊（50）與所述第一芯片模塊（40）串聯連接；第一功率端子（61），與所述第一芯片模塊（40）導電連接；第二功率端子（62），與所述第二芯片模塊（50）導電連接；所述半導體封裝結構還包括與所述基板（11）連接的第一絕緣凸肋（71），所述第一芯片模塊（40）與所述第二芯片模塊（50）分別位于所述第一絕緣凸肋（71）的兩側；所述半導體封裝結構還包括第一柵極端子（63）和第二絕緣凸肋（72），所述第一柵極端子（63）位于所述第一芯片模塊（40）遠離所述第一絕緣凸肋（71）的一側，所述第二絕緣凸肋（72）位于所述第一柵極端子（63）與所述第一芯片模塊（40）之間，所述第一柵極端子（63）與多個所述第一半導體芯片均導電連接，所述第一功率端子（61）位于所述第一絕緣凸肋（71）和所述第二絕緣凸肋（72）之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。