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龍圖騰網恭喜南方科技大學申請的專利一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119028820B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411514582.5，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法是由鄧輝;張晉豪;王銀惠;何銓鵬;梁紹祥;李呂兵設計研發完成，并于2024-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法在說明書摘要公布了：本發明涉及表面加工、原子級制造技術領域，公開了一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法，包括以下步驟：將待拋光的非氧化物半導體晶圓放置在大氣等離子體矩管下，并向大氣等離子體矩管中持續通入載氣；啟動等離子體，并向大氣等離子體矩管通入反應氣體，對非氧化物半導體晶圓進行等離子體氧化處理，在非氧化物半導體晶圓表面形成氧化膜；待氧化膜的厚度達到預定厚度后，停止通入反應氣體，調整等離子體的功率至500?700W，對非氧化物半導體晶圓進行等離子體調控處理；調控3?10min后，使等離子體的功率以第一速率勻速降低至預定功率后，將調控處理后的非氧化物半導體晶圓浸泡在刻蝕液中以去除氧化膜，完成對非氧化物半導體晶圓的表面拋光。

本發明授權一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法在權利要求書中公布了：1.一種基于等離子體的非氧化物半導體晶圓的表面拋光方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：將待拋光的非氧化物半導體晶圓放置在大氣等離子體矩管下，并向大氣等離子體矩管中持續通入載氣；啟動等離子體，并向大氣等離子體矩管通入反應氣體，對非氧化物半導體晶圓進行等離子體氧化處理，在非氧化物半導體晶圓表面形成氧化膜；待氧化膜的厚度達到預定厚度后，停止通入反應氣體，調整等離子體的功率至500-700W，對非氧化物半導體晶圓進行等離子體調控處理；調控3-10min后，使等離子體的功率以第一速率勻速降低至預定功率，然后將調控處理后的非氧化物半導體晶圓浸泡在刻蝕液中以去除氧化膜，完成對非氧化物半導體晶圓的表面拋光；所述預定厚度大于等于100nm；所述第一速率為1-30Wmin。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南方科技大學，其通訊地址為：518055 廣東省深圳市南山區桃源街道學苑大道1088號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。