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龍圖騰網恭喜無錫邑文微電子科技股份有限公司;江蘇邑文微電子科技有限公司申請的專利一種確定SACVD薄膜Q-time的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119178542B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411698160.8，技術領域涉及：G01L5/00；該發明授權一種確定SACVD薄膜Q-time的方法是由石義;李康康;穆洪楊;劉丹設計研發完成，并于2024-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種確定SACVD薄膜Q-time的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種確定SACVD薄膜Q?time的方法，該方法包括：使用SACVD制備薄膜后，對薄膜進行第一應力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環境中進行第一靜置；第一靜置后進行第二應力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環境中進行第二靜置；第二靜置后進行第三應力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環境中進行第三靜置；第n靜置后，進行第N應力測試，n≥2，N≥3；第N應力測試后，繪制應力隨時間變化曲線，根據該曲線確定Q?time。該方法可以為SACVD薄膜的Q?time進行量化，準確確定Q?time的數值，從而對SACVD薄膜的處理時機進行指導，避免生產過程中SACVD薄膜失效，提高生產效率，降低生產成本。

本發明授權一種確定SACVD薄膜Q-time的方法在權利要求書中公布了：1.一種確定SACVD薄膜Q-time的方法，其特征在于，所述方法包括：（1）使用SACVD制備薄膜后，對所述薄膜進行第一應力測試，完成后將所述薄膜置于惰性氣氛環境中進行第一靜置；（2）所述第一靜置后進行第二應力測試，完成后將所述薄膜置于惰性氣氛環境中進行第二靜置；（3）所述第二靜置后進行第三應力測試，完成后將所述薄膜置于惰性氣氛環境中進行第三靜置；第n靜置后，進行第N應力測試，n≥2，N≥3；所述第N應力測試后，繪制應力隨時間變化曲線，根據所述曲線確定Q-time；根據所述曲線確定Q-time的方法包括根據不同靜置時間下的應力變化數據，確定應力波動在±20MPa所對應時間即為Q-time；使用SACVD制備的所述薄膜包括SAUSG薄膜或SABPSG薄膜；先采用較長的靜置時間，確定測試樣品較寬的Q-time時間范圍；再采用同樣的樣品、測試條件和靜置環境，在所述較寬的Q-time時間范圍內縮短靜置時間，以進一步精確的確定所述樣品的Q-time。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫邑文微電子科技股份有限公司;江蘇邑文微電子科技有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新吳區觀山路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。