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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119230576B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411756604.9，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備是由陳維邦設計研發完成，并于2024-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備在說明書摘要公布了：本申請涉及一種背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備，涉及集成電路技術領域，包括提供襯底，襯底內包括隔離層，以及沿平行襯底表面的第一方向間隔排布的多個第一隔離結構。于襯底內形成與第一隔離結構一對一設置且經由襯底背面延伸至隔離層的第一隔離部。去除相鄰第一隔離部之間的襯底，得到位于第一隔離部側表面的側壁半導體層，以及相鄰側壁半導體層之間的第一凹槽；側壁半導體層的尺寸沿靠近隔離層的方向逐漸增大。于第一凹槽內形成底層光敏層，于底層光敏層上外延生長頂層光敏層。于相鄰頂層光敏層之間的間隙內形成與第一隔離部連接的第二隔離部，提高光電轉化效率以及量子效率。

本發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備在權利要求書中公布了：1.一種背照式圖像傳感器制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內包括沿平行所述襯底正面的第一方向延伸的隔離層，以及經由所述襯底正面朝向所述襯底內延伸至所述隔離層，且沿所述第一方向間隔排布的多個第一隔離結構；于所述襯底內形成與所述多個第一隔離結構一對一設置的多個第一隔離部，所述多個第一隔離部經由所述襯底背面延伸至所述隔離層；去除相鄰所述第一隔離部之間的襯底，得到位于所述第一隔離部側表面的側壁半導體層，以及位于相鄰所述側壁半導體層之間的第一凹槽；所述側壁半導體層的尺寸沿靠近所述隔離層的方向逐漸增大；于所述第一凹槽內形成底層光敏層，于所述底層光敏層上外延生長頂層光敏層；于相鄰所述頂層光敏層之間的間隙內形成與所述第一隔離部連接的第二隔離部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。