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龍圖騰網恭喜深圳市芯電元科技有限公司申請的專利碳化硅MOSFET高溫離子注入方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119297074B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411785435.1，技術領域涉及：H01L21/265；該發明授權碳化硅MOSFET高溫離子注入方法及裝置是由楊彥峰;黃鳳明設計研發完成，并于2024-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅MOSFET高溫離子注入方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及MOSFET制備的技術領域，公開了一種碳化硅MOSFET高溫離子注入方法及裝置，本發明對基板進行預處理并獲取規格和性能參數，根據這些參數設計高溫離子注入方案，在基板表面制備納米結構以引導離子注入，對基板加熱至工作狀態，通過納米結構進行高溫離子注入，實時采集注入效果數據并分析，通過調整參數優化注入效果，直至完成中間狀態基板的制備，該方法通過納米結構引導和實時反饋調節，提高了離子注入的精度和均勻性，解決了現有技術中對碳化硅進行高溫離子注入的精度不足的問題。

本發明授權碳化硅MOSFET高溫離子注入方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅MOSFET高溫離子注入方法，其特征在于，包括：對用于制備碳化硅MOSFET的基板進行預處理，得到待制備基板；獲取所述待制備基板的規格參數與性能參數，并根據所述待制備基板的規格參數與性能參數對所述待制備基板的高溫離子注入方案進行分析，得到所述待制備基板的高溫離子注入方案；根據所述高溫離子注入方案對所述待制備基板進行納米結構的制備處理，得到設置在所述待制備基板表面的用于引導高溫離子注入的若干納米結構；對所述待制備基板進行加熱處理，使得所述待制備基板處于工作狀態，并根據所述高溫離子注入方案通過所述納米結構對處于工作狀態的待制備基板進行高溫離子注入；對所述待制備基板的高溫離子注入效果進行實時數據采集，得到高溫離子注入效果特征，對所述高溫離子注入效果特征進行分析，根據分析的結果對后續的高溫離子注入進行參數調整，直至通過各個所述納米結構對所述待制備基板進行高溫離子注入，得到碳化硅MOSFET的中間狀態基板；其中，所述中間狀態基板用于在經過高溫退火處理與表面鍍層制備后進行若干功能層的加工，以制備碳化硅MOSFET；根據所述高溫離子注入方案對所述待制備基板進行納米結構的制備處理，得到設置在所述待制備基板表面的用于引導高溫離子注入的若干納米結構的步驟包括：對所述高溫離子注入方案進行解析，得到所述高溫離子注入方案中對所述待制備基板進行高溫離子注入的各個注入位置和對應各個所述注入位置的注入執行步驟；根據所述注入執行步驟對所述待制備基板進行注入過程的基板影響分析，得到所述待制備基板對應各個所述注入執行步驟的注入影響特征；對所述注入影響特征進行引導對策分析，得到用于對所述注入執行步驟進行高溫離子注入引導以抵消所述注入影響特征的納米結構；根據所述高溫離子注入方案通過所述納米結構對處于工作狀態的待制備基板進行高溫離子注入的步驟包括：對所述高溫離子注入方案進行解析，得到所述高溫離子注入方案中對所述待制備基板進行高溫離子注入的各個注入位置和對應各個所述注入位置的注入執行步驟；對各個所述注入執行步驟進行執行順序的分析，得到各個所述注入執行步驟的執行順序標記；根據各個所述注入執行步驟的執行順序標記，對處于工作狀態的待制備基板上相應的各個注入位置依次進行注入執行步驟的執行處理。

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