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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其電氣特性計算中的校準方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119272668B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411783574.0，技術領域涉及：G06F30/33；該發明授權半導體器件及其電氣特性計算中的校準方法是由山中俊明;北口裕久設計研發完成，并于2024-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其電氣特性計算中的校準方法在說明書摘要公布了：本發明提供半導體器件及其電氣特性計算中的校準方法。校準方法包括如下步驟：判定包含由與對象主體部（10）大致相同的構造構成的調整用主體部（20）和散熱性高于對象布線部（11）的調整用布線部（21）的調整用半導體器件（2）的第一電氣特性測定值與第一電氣特性計算值之差是否在規定的允差的范圍內的工序；在該工序中的判定結果為在允差的范圍內時，使用調整用半導體器件（2）的載流子遷移率對包含計算對象半導體器件（1）的電氣特性值的第二模擬中使用的載流子遷移率在內的規定的物理常數進行調整的工序。

本發明授權半導體器件及其電氣特性計算中的校準方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的電氣特性計算中的校準方法，其特征在于，對象半導體器件包括：對象主體部，包含半導體元件；以及對象布線部，層疊于所述對象主體部，用于對所述半導體元件通電，所述半導體器件的電氣特性計算中的校準方法包括如下步驟：第一步驟，測定包含調整用主體部和調整用布線部的調整用半導體器件的電氣特性相關的第一測定值，其中，所述調整用主體部由與所述對象主體部相同的構造構成，所述調整用布線部的散熱性高于所述對象布線部；第二步驟，對包含第一模擬中使用的載流子遷移率在內的規定的物理常數進行調整，所述第一模擬計算所述調整用半導體器件的電氣特性相關的值；第三步驟，通過所述第一模擬來計算所述調整用半導體器件的電氣特性相關的第一計算值；第四步驟，判定在所述第一步驟中得到的所述電氣特性的所述第一測定值與在所述第三步驟中得到的所述電氣特性的所述第一計算值之差是否在規定的允差的范圍內；第五步驟，在所述第四步驟中的判定結果為在所述規定的允差的范圍內的情況下，測定所述對象半導體器件的電氣特性相關的第二測定值；第六步驟，使用所述第二步驟中的所述調整用半導體器件的載流子遷移率，對包含第二模擬中使用的載流子遷移率在內的規定的物理常數進行調整，所述第二模擬計算所述對象半導體器件的電氣特性相關的值；第七步驟，通過所述第二模擬來計算所述對象半導體器件的電氣特性相關的第二計算值；以及第八步驟，判定在所述第五步驟中得到的所述電氣特性的所述第二測定值與在所述第七步驟中得到的所述電氣特性的所述第二計算值之差是否在規定的允差的范圍內。

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