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龍圖騰網恭喜長沙華實半導體有限公司申請的專利一種硅電極及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119361409B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411932226.5，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種硅電極及其制作方法是由李豪;馬賀賀;陳宏元;曹金培設計研發完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅電極及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種硅電極及其制作方法，旨在改善硅電極使用壽命較低的問題。所述硅電極包括硅電極本體以及沿所述硅電極本體的周向方向間隔設置的多個貫穿槽，每一所述貫穿槽沿所述硅電極本體的徑向方向延伸；所述貫穿槽具有相對設置的第一邊和第二邊，所述第一邊和或所述第二邊為圓角邊。本申請中，貫穿槽的第一邊和第二邊中的至少一者設置為圓角邊，圓角邊可以降低電弧聚集狀況發生的概率，避免電弧損傷貫穿槽。由此，有利于提高硅電極的使用壽命，進而利于降低刻蝕成本。

本發明授權一種硅電極及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種硅電極的制作方法，其特征在于，包括：提供硅電極本體；在所述硅電極本體上沿周向方向依次形成多個間隔設置的沉頭預孔；按照加工順序將所述多個沉頭預孔等分為多組；依次對當前組內的所述多個沉頭預孔磨削，以形成當前組的多個貫穿槽；獲取當前組內的最后一個所述貫穿槽的尺寸并與預設尺寸相比較，得出下一組的槽補償參數，所述槽補償參數包括所述貫穿槽的長度補償值和或寬度補償值，所述預設尺寸為所述貫穿槽的設計長度和或設計寬度；將所述貫穿槽的長度補償值和或寬度補償值補償至刀具的加工參數中，以對所述刀具進行參數補償；使用參數補償后的所述刀具對下一組內的所述多個沉頭預孔磨削，以形成下一組的多個所述貫穿槽，每一所述貫穿槽沿所述硅電極本體的徑向方向延伸，所述貫穿槽具有相對設置的第一邊和第二邊；對所述第一邊和或所述第二邊倒圓角。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長沙華實半導體有限公司，其通訊地址為：410323 湖南省長沙市瀏陽市永安鎮督正路1號長沙華實半導體有限公司；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。