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龍圖騰網(wǎng)恭喜田中電子工業(yè)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體裝置以及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113748493B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980091220.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體裝置以及其制造方法是由天野裕之;安德優(yōu)希;桑原岳;市川司;松澤修;陳煒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體裝置以及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明實(shí)施方式的Pd覆蓋Cu接合線具有1.0～4.0質(zhì)量％的Pd、及合計(jì)為50質(zhì)量ppm以下的S族元素5.0～12.0質(zhì)量ppm的S、5.0～20.0質(zhì)量ppm的Se、或15.0～50質(zhì)量ppm的Te。該引線截面的晶體面中的100取向比率為15％以上，并且111取向比率為50％以下。在該引線上形成無(wú)空氣球而對(duì)前端部分進(jìn)行分析時(shí)，在其表面觀測(cè)到Pd富集區(qū)域。

本發(fā)明授權(quán)鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體裝置以及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鈀覆蓋銅接合線，其是具有以銅作為主要成分的芯材和所述芯材上的鈀層并且含有硫族元素的鈀覆蓋銅接合線，所述鈀覆蓋銅接合線相對(duì)于銅、鈀及硫族元素的合計(jì)，包含：1.0質(zhì)量％～4.0質(zhì)量％的鈀、及合計(jì)為50質(zhì)量ppm以下的硫族元素，并且包含：5.0質(zhì)量ppm～12.0質(zhì)量ppm的硫、5.0質(zhì)量ppm～20.0質(zhì)量ppm的硒、或15.0質(zhì)量ppm～50.0質(zhì)量ppm的碲，在所述鈀覆蓋銅接合線的截面的晶體面中的引線長(zhǎng)度方向的晶體取向hkl之中，100取向比率的總計(jì)為15％以上，并且111取向比率為50％以下，所述100及111取向包含相對(duì)于所述引線長(zhǎng)度方向角度差為15°以內(nèi)的取向，在所述鈀覆蓋銅接合線上形成無(wú)空氣球時(shí)，在所述無(wú)空氣球的距離前端部分的表面為5.0nm～100.0nm的深度方向的范圍內(nèi)，觀測(cè)到相對(duì)于銅與鈀的合計(jì)包含6.5原子％～30.0原子％鈀的鈀富集區(qū)域。

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