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龍圖騰網恭喜田中電子工業株式會社申請的專利鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結構、半導體裝置以及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113748493B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980091220.0，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結構、半導體裝置以及其制造方法是由天野裕之;安德優希;桑原岳;市川司;松澤修;陳煒設計研發完成，并于2019-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結構、半導體裝置以及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明實施方式的Pd覆蓋Cu接合線具有1.0～4.0質量％的Pd、及合計為50質量ppm以下的S族元素5.0～12.0質量ppm的S、5.0～20.0質量ppm的Se、或15.0～50質量ppm的Te。該引線截面的晶體面中的100取向比率為15％以上，并且111取向比率為50％以下。在該引線上形成無空氣球而對前端部分進行分析時，在其表面觀測到Pd富集區域。

本發明授權鈀覆蓋銅接合線、鈀覆蓋銅接合線的制造方法、及使用了其的引線接合結構、半導體裝置以及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種鈀覆蓋銅接合線，其是具有以銅作為主要成分的芯材和所述芯材上的鈀層并且含有硫族元素的鈀覆蓋銅接合線，所述鈀覆蓋銅接合線相對于銅、鈀及硫族元素的合計，包含：1.0質量％～4.0質量％的鈀、及合計為50質量ppm以下的硫族元素，并且包含：5.0質量ppm～12.0質量ppm的硫、5.0質量ppm～20.0質量ppm的硒、或15.0質量ppm～50.0質量ppm的碲，在所述鈀覆蓋銅接合線的截面的晶體面中的引線長度方向的晶體取向hkl之中，100取向比率的總計為15％以上，并且111取向比率為50％以下，所述100及111取向包含相對于所述引線長度方向角度差為15°以內的取向，在所述鈀覆蓋銅接合線上形成無空氣球時，在所述無空氣球的距離前端部分的表面為5.0nm～100.0nm的深度方向的范圍內，觀測到相對于銅與鈀的合計包含6.5原子％～30.0原子％鈀的鈀富集區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人田中電子工業株式會社，其通訊地址為：日本佐賀縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。