買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜無錫新潔能股份有限公司申請的專利一種功率半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110400836B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910805820.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種功率半導體器件及其制作方法是由朱袁正;周錦程設計研發完成，并于2019-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，具體公開了一種功率半導體器件，包括半導體基板，半導體基板被劃分為元胞區和終端保護區，其中，半導體基板包括第一導電類型襯底和第一導電類型外延層，第一導電類型外延層的表面設置有第二導電類型體區；位于元胞區的第二導電類型體區內設置有第一類溝槽，第一類溝槽的溝槽底部伸入第一類導電類型外延層內；位于終端保護區的第二導電類型體區內靠近元胞區的位置設置有至少一根第二類溝槽；第二類溝槽的溝槽深度小于第一類溝槽的溝槽深度，第二類溝槽的溝槽開口寬度小于第一類溝槽的溝槽開口寬度。本發明還公開了一種功率半導體器件的制作方法。本發明提供的功率半導體器件提升了功率半導體器件的耐壓可靠性。

本發明授權一種功率半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件，包括半導體基板，所述半導體基板被劃分為元胞區和終端保護區，所述元胞區位于所述半導體基板的中心區，所述終端保護區位于所述元胞區的外圈且環繞所述元胞區設置，其特征在于，所述半導體基板包括第一導電類型襯底和位于所述第一導電類型襯底上的第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層的表面設置有第二導電類型體區；位于所述元胞區的所述第二導電類型體區內設置有第一類溝槽，所述第一類溝槽的溝槽底部伸入所述第一導電類型外延層內；位于所述終端保護區的所述第二導電類型體區內靠近所述元胞區的位置設置有至少一根第二類溝槽；所述第二類溝槽的溝槽深度小于所述第一類溝槽的溝槽深度，所述第二類溝槽的溝槽開口寬度小于所述第一類溝槽的溝槽開口寬度；位于所述終端保護區的所述第二導電類型體區內設置有至少一根第三類溝槽，所述第三類溝槽環繞所述第二類溝槽設置；所述第三類溝槽的溝槽深度不小于所述第一類溝槽的溝槽深度，所述第三類溝槽的溝槽開口寬度不小于所述第一類溝槽的溝槽開口寬度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫新潔能股份有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區電騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。