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龍圖騰網(wǎng)恭喜京瓷株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利布線基板、電子裝置以及電子模塊獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113169136B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201980077261.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/13；該發(fā)明授權(quán)布線基板、電子裝置以及電子模塊是由山下恭平;細(xì)井義博設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-11-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本布線基板、電子裝置以及電子模塊在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種可得到包含AlN氮化鋁的絕緣基板與Cu銅系的導(dǎo)體層的高密接強(qiáng)度的布線基板。布線基板具備包含AlN的絕緣基板、包含Cu的導(dǎo)體層、位于絕緣基板與導(dǎo)體層之間的中間層。關(guān)于中間層，在靠近絕緣基板的第1區(qū)域與靠近導(dǎo)體層的第2區(qū)域中，第2區(qū)域的Cu的濃度比第1區(qū)域的Cu的濃度高，第1區(qū)域的Al的濃度比第2區(qū)域的Al的濃度高。

本發(fā)明授權(quán)布線基板、電子裝置以及電子模塊在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種布線基板，其特征在于，具備：絕緣基板，其包含AlN；導(dǎo)體層，其包含Cu；以及中間層，其位于所述絕緣基板與所述導(dǎo)體層的界面，所述中間層在靠近所述絕緣基板的第1區(qū)域與靠近所述導(dǎo)體層的第2區(qū)域中，所述第2區(qū)域的Cu的濃度比所述第1區(qū)域的Cu的濃度高，所述第1區(qū)域的Al的濃度比所述第2區(qū)域的Al的濃度高，所述絕緣基板在與所述導(dǎo)體層的界面處具有多個(gè)凹部，在所述凹部之外的區(qū)域的界面形成所述中間層，并且在所述凹部的內(nèi)表面，在所述絕緣基板與所述導(dǎo)體層之間也形成所述中間層，所述中間層的一部分包含密接區(qū)域，該密接區(qū)域在構(gòu)成元素中包含氧化鈦，在構(gòu)成元素中包含氧化鈦的所述密接區(qū)域散布在所述凹部?jī)?nèi)的所述絕緣基板的界面，和未包含所述密接區(qū)域的部位的中間層的Al與Cu的濃度梯度相比，包含所述密接區(qū)域的部位的中間層的Al與Cu的濃度梯度平緩。

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