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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112951766B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911270198.4，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蘇博;王彥;紀世良;張海洋設計研發完成，并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一區和第二區，所述第一區和第二區表面具有若干相互分立的鰭部，所述鰭部上具有第一功函數層和位于所述第一功函數層表面的第二功函數層，且所述第一功函數層覆蓋鰭部的頂部表面和側壁表面；在所述第二功函數層上形成保護層；形成保護層之后，在所述基底和鰭部上形成掩膜材料層；去除第一區上的掩膜材料層，形成掩膜結構；以所述掩膜結構為掩膜，去除第一區上的第二功函數層和保護層。所述方法形成的半導體結構的性能較好。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一區和第二區，所述第一區和第二區表面具有若干相互分立的鰭部，所述鰭部上具有第一功函數層和位于所述第一功函數層表面的第二功函數層，且所述第一功函數層覆蓋鰭部的頂部表面和側壁表面；在所述第二功函數層上形成保護層；形成保護層之后，在所述基底和鰭部上形成掩膜材料層；去除第一區上的掩膜材料層，形成掩膜結構；以所述掩膜結構為掩膜，去除第一區上的第二功函數層和保護層；其中，所述保護層的形成方法包括：采用快速旋涂工藝在所述第二功函數層表面形成保護膜；采用退火工藝處理所述保護膜，在所述第二功函數層表面形成所述保護層；所述保護膜的材料為含有ZrOx的混合物；所述第二功函數層的材料具有第一密度，所述保護層的材料具有第二密度，且所述第二密度大于第一密度；所述保護膜中ZrOx的濃度為第一濃度，所述保護層中的ZrOx的濃度為第二濃度，且所述第一濃度小于第二濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。