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龍圖騰網恭喜中國科學技術大學申請的專利一種樣品結構及其制作方法、入射空間角標定方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110927409B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911267392.7，技術領域涉及：G01Q60/18；該發明授權一種樣品結構及其制作方法、入射空間角標定方法是由溫曉鐳設計研發完成，并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種樣品結構及其制作方法、入射空間角標定方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種樣品結構及其制作方法、入射空間角標定方法，所述樣品結構，包括襯底、位于襯底上的金屬薄膜，以及位于金屬薄膜內部或其上的納米結構。樣品結構簡單，制作方法簡易，但是能夠在傾斜入射光照射下，產生的近場光場分布能夠被SNOM檢測到，且對入射光空間角具有良好響應，能夠用于SNOM近場光場成像，進而由SNOM近場光場成像測量結果反推出入射光空間角分量，從而實現對SNOM設備入射光空間角的標定。該標定方法簡便易行，樣品結構制備工藝簡單，可作為標準樣品對不同廠家型號或實驗室搭建的散射式掃描近場光學顯微鏡入射光空間角進行標定，適用范圍廣泛，可大批量生產。

本發明授權一種樣品結構及其制作方法、入射空間角標定方法在權利要求書中公布了：1.一種樣品結構，其特征在于，應用在反射式照明方式的掃描近場光學顯微鏡中對入射光空間角進行標定，所述樣品結構包括：襯底；所述襯底的材料為硅片或石英片；位于襯底上的金屬薄膜；所述金屬薄膜的厚度為10nm-500nm，包括端點值；位于所述金屬薄膜內或位于所述金屬薄膜上的納米結構；所述納米結構為位于所述金屬薄膜內且貫穿所述金屬薄膜的納米單縫、位于所述金屬薄膜內且未貫穿所述金屬薄膜的納米凹槽；或位于所述金屬薄膜上的納米凸臺；當所述納米結構為位于所述金屬薄膜內的納米單縫時，所述納米單縫的長度為10μm-500μm，包括端點值；所述納米單縫的寬度為100nm-1μm，包括端點值。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學，其通訊地址為：230026 安徽省合肥市包河區金寨路96號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。