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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社POWDEC申請的專利二極管、二極管的制造方法和電氣設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113875015B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080037000.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)二極管、二極管的制造方法和電氣設(shè)備是由河合弘治;八木修一;齊藤武尊;中村文彥;成井啟修設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-03-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本二極管、二極管的制造方法和電氣設(shè)備在說明書摘要公布了：二極管由雙柵PSJ?GaN系FET構(gòu)成。該FET具有GaN層11、AlxGa1?xN層12、未摻雜的GaN層13和p型GaN層14。在AlxGa1?xN層12上設(shè)置有源電極19和漏電極20，在p型GaN層14上設(shè)置有第一柵電極15，在設(shè)于槽16內(nèi)部的柵極絕緣膜17上設(shè)置有第二柵電極18，所述槽16設(shè)置在源電極19和未摻雜的GaN層13之間的部分處的AlxGa1?xN層12中。源電極19、第一柵電極15和第二柵電極18彼此連接，或者源電極19和第二柵電極18彼此連接、并且第一柵電極15被施加相對于源電極19和第二柵電極18而言為正的電壓。

本發(fā)明授權(quán)二極管、二極管的制造方法和電氣設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種二極管，其中，所述二極管由雙柵極化超結(jié)GaN系場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，所述雙柵極化超結(jié)GaN系場效應(yīng)晶體管具有：未摻雜的第一GaN層；AlxGa1-xN層，所述AlxGa1-xN層在所述第一GaN層上，且0＜x＜1；未摻雜的第二GaN層，所述未摻雜的第二GaN層在所述AlxGa1-xN層上并且具有第一島狀的形狀；p型GaN層，所述p型GaN層在所述第二GaN層上并且具有第二島狀的形狀；源電極和漏電極，所述源電極和漏電極以夾著所述第二GaN層的方式設(shè)置在所述AlxGa1-xN層上；第一柵電極，所述第一柵電極與所述p型GaN層電連接；和第二柵電極，所述第二柵電極設(shè)置在設(shè)于槽內(nèi)部的柵極絕緣膜上，所述槽設(shè)置在所述源電極和所述第二GaN層之間的部分處的所述AlxGa1-xN層中，其中所述第二柵電極的閾值電壓為0V以上，利用所述第一柵電極的控制為常通型，利用所述第二柵電極的控制為常斷型，所述源電極、所述第一柵電極和所述第二柵電極彼此電連接，由所述源電極、所述第一柵電極和所述第二柵電極構(gòu)成陽極電極，由所述漏電極構(gòu)成陰極電極，或者所述源電極和所述第二柵電極彼此電連接，并且所述第一柵電極被施加相對于所述源電極和所述第二柵電極而言為正的電壓，由所述源電極和所述第二柵電極構(gòu)成陽極電極，并且由所述漏電極構(gòu)成陰極電極，在所述陽極電極和所述陰極電極未被施加電壓時，在所述AlxGa1-xN層和所述第二GaN層之間的異質(zhì)界面附近的部分處的所述第二GaN層中形成二維空穴氣，并且除了所述第二柵電極下方的部分之外，在所述第一GaN層和所述AlxGa1-xN層之間的異質(zhì)界面附近的部分處的所述第一GaN層中形成二維電子氣。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社POWDEC，其通訊地址為：日本栃木縣；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。