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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113764503B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010492480.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由任飛;徐娟設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-06-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭；溝槽，位于所述半導(dǎo)體襯底中，分隔相鄰的有源區(qū)；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底上并環(huán)繞所述鰭底部，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)不填充所述溝槽并且封閉所述溝槽的頂部。本申請所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，在相鄰的有源區(qū)之間形成被空氣填充的溝槽，利用所述溝槽隔離相鄰的有源區(qū)，可以減少相鄰有源區(qū)之間的漏電。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體襯底和所述鰭結(jié)構(gòu)上形成有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層暴露所述鰭結(jié)構(gòu)的部分底部表面，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽，所述溝槽分隔相鄰的有源區(qū)；在所述溝槽頂部的表面外延生長封閉層，所述封閉層封閉所述溝槽頂部，所述溝槽被空氣填充；在所述第一介質(zhì)層上以及封閉層上形成隔離材料層，所述隔離材料層填滿所述若干鰭結(jié)構(gòu)之間的空間并且頂部表面高于所述第一介質(zhì)層的頂部表面；固化所述隔離材料層并氧化所述封閉層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。