恭喜美光科技公司西岡直久獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利多個邊緣硅穿孔以及相關系統、方法和裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112542452B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010769221.0，技術領域涉及：H10B80/00；該發明授權多個邊緣硅穿孔以及相關系統、方法和裝置是由西岡直久設計研發完成，并于2020-08-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本多個邊緣硅穿孔以及相關系統、方法和裝置在說明書摘要公布了：公開了多個邊緣硅穿孔TSV以及相關系統、方法和裝置。一種電子裝置包含芯片堆疊、第一TSV和第二TSV。所述芯片堆疊包含所述芯片堆疊的周界處的一或多個側邊緣。所述芯片堆疊的TSV區位于距所述一或多個側邊緣的預定距離內。所述第一TSV在距所述一或多個側邊緣第一距離處位于所述芯片堆疊的所述TSV區內。所述第二TSV在距所述一或多個側邊緣第二距離處位于所述芯片堆疊的所述TSV區內。所述第二距離比所述第一距離短。
本發明授權多個邊緣硅穿孔以及相關系統、方法和裝置在權利要求書中公布了：1.一種電子裝置，其包括：芯片堆疊，所述芯片堆疊包含所述芯片堆疊的周界處的一或多個側邊緣，所述芯片堆疊的硅穿孔區TSV區位于距所述一或多個側邊緣的預定距離內；第一TSV，所述第一TSV在距所述一或多個側邊緣的第一距離處位于所述芯片堆疊的所述TSV區內；第二TSV，所述第二TSV在距所述一或多個側邊緣的第二距離處位于所述芯片堆疊的所述TSV區內，所述第二距離比所述第一距離短；以及控制電路系統，所述控制電路系統位于所述芯片堆疊中的控制芯片上或中，所述控制電路系統被配置成標識距所述一或多個側邊緣的最小可接受TSV距離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達荷州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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