恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司鄭二虎獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171517B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010955118.5，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由鄭二虎;張海洋設計研發完成，并于2020-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；形成若干源漏結構、若干柵極結構和第一保護結構，所述源漏結構位于所述柵極結構兩側的基底內，所述柵極結構位于所述基底上，所述柵極結構包括柵電極層，并且，所述第一保護結構位于所述柵電極層頂面；在所述基底上形成若干第一導電結構，所述第一導電結構位于所述柵極結構至少一側的源漏結構上；在形成第一導電結構后，形成第二保護結構和第一側墻，所述第二保護結構位于所述第一導電結構頂面，所述第一側墻位于所述第一保護結構和第二保護結構之間。從而，提高了半導體結構的可靠性。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：基底；位于基底上的若干柵極結構，所述柵極結構包括柵電極層；位于所述柵極結構兩側的基底內的若干源漏結構；位于所述柵電極層頂面的第一保護結構；位于所述基底上的第一導電結構，所述第一導電結構還位于所述柵極結構至少一側的源漏結構上；位于所述第一導電結構頂面的第二保護結構；位于所述第一保護結構和第二保護結構之間的第一側墻；其中，所述柵極結構及第一保護結構的側壁面還形成有第二側墻，所述第二側墻的頂面位于所述柵極結構頂面與第一保護結構頂面之間；所述第一側墻還位于所述第二側墻的頂面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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