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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114171517B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010955118.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由鄭二虎;張海洋設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；形成若干源漏結(jié)構(gòu)、若干柵極結(jié)構(gòu)和第一保護結(jié)構(gòu)，所述源漏結(jié)構(gòu)位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基底上，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極層，并且，所述第一保護結(jié)構(gòu)位于所述柵電極層頂面；在所述基底上形成若干第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述柵極結(jié)構(gòu)至少一側(cè)的源漏結(jié)構(gòu)上；在形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)后，形成第二保護結(jié)構(gòu)和第一側(cè)墻，所述第二保護結(jié)構(gòu)位于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)頂面，所述第一側(cè)墻位于所述第一保護結(jié)構(gòu)和第二保護結(jié)構(gòu)之間。從而，提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基底；位于基底上的若干柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極層；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)的若干源漏結(jié)構(gòu)；位于所述柵電極層頂面的第一保護結(jié)構(gòu)；位于所述基底上的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還位于所述柵極結(jié)構(gòu)至少一側(cè)的源漏結(jié)構(gòu)上；位于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)頂面的第二保護結(jié)構(gòu)；位于所述第一保護結(jié)構(gòu)和第二保護結(jié)構(gòu)之間的第一側(cè)墻；其中，所述柵極結(jié)構(gòu)及第一保護結(jié)構(gòu)的側(cè)壁面還形成有第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻的頂面位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂面與第一保護結(jié)構(gòu)頂面之間；所述第一側(cè)墻還位于所述第二側(cè)墻的頂面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。