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龍圖騰網恭喜珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司申請的專利一種少子壽命控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256066B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011005223.9，技術領域涉及：H01L21/203；該發明授權一種少子壽命控制方法是由劉勇強;史波;馬穎江;曾丹;林志龍設計研發完成，并于2020-09-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種少子壽命控制方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種少子壽命控制方法，應用于第一硅晶片，第一硅晶片屬于RC?IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一離子，得到P型半導體；在P型半導體上淀積阻隔層；從阻隔層上刻蝕出第一區域，并將第一區域作為續流二極管區域，第一區域不具有阻隔層；向第一區域注入第二離子，以在第一區域上形成N型半導體；對形成N型半導體的第一區域進行重金屬濺射；采用第一熱處理方式，對包含經過重金屬濺射的第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使重金屬在第一硅晶片中形成復合中心。由于復合中心可以改變第一硅晶片中少子的復合方式，將少子的復合方式由直接復合變為間接復合，因此，可以有效地減少少子的復合時間從而降低續流二極管的反向恢復時間。

本發明授權一種少子壽命控制方法在權利要求書中公布了：1.一種少子壽命控制方法，其特征在于，應用于第一硅晶片，所述第一硅晶片屬于RC-IGBT，所述方法包括：向所述第一硅晶片注入第一離子，得到P型半導體，第一硅晶片為由晶圓制作RC-IGBT的過程中，晶圓所具有的一種形態；在所述P型半導體上淀積阻隔層；從所述阻隔層上刻蝕出第一區域，并將所述第一區域作為續流二極管區域，所述第一區域不具有所述阻隔層；向所述第一區域注入第二離子，以在所述第一區域上形成N型半導體；對形成所述N型半導體的所述第一區域進行重金屬濺射，祛除所述重金屬；采用第一熱處理方式，對包含經過所述重金屬濺射的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使所述重金屬在所述第一硅晶片中形成復合中心，包括：采用熱推結的方式，對包含祛除所述重金屬的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使所述重金屬在所述第一硅晶片中形成復合中心。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市前山金雞西路；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。