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龍圖騰網恭喜江蘇宏微科技股份有限公司申請的專利一種功率半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112652666B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011552697.5，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種功率半導體器件及其制作方法是由張景超;戚麗娜;林茂;井亞會;趙善麒設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種功率半導體器件及其制作方法，所述功率半導體器件包括N基體和中間P+層，所述N基體的頂部兩端均設有有源區N+層和包裹所述有源區N+層的P區，所述P區包括溝道P?層，所述溝道P?層被配置在所述有源區N+層的內側，所述柵氧化層被配置在所述N基體的表面中部，并覆蓋到所述有源區N+層，所述中間P+層被配置在兩個所述P區之間，且與兩個所述P區相連。本發明提供的一種功率半導體器件，能夠在漏極施壓時降低柵氧化層承受的電場強度，減小柵氧化層被擊穿的幾率，提高器件的可靠性，同時可保證器件的溝道密度。

本發明授權一種功率半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件，其特征在于，包括：N基體1，所述N基體1的頂部兩端均設有有源區N+層2和包裹所述有源區N+層2的P區3；P區3，所述P區3包括溝道P-層31，所述溝道P-層31被配置在所述有源區N+層2的內側；柵氧化層5，所述柵氧化層5被配置在所述N基體1的表面中部，并覆蓋到所述有源區N+層2；中間P+層4，所述中間P+層4被配置在兩個所述P區3之間，且與兩個所述P區3相連；所述中間P+層4為多個，間隔地沿垂直于所述功率半導體器件的元胞結構截面的方向平行排布；所述中間P+層4包括第一中間P+層和第二中間P+層，所述第一中間P+層被配置在兩個所述溝道P-層31之間，所述第二中間P+層由所述溝道P-層31經過高摻雜形成；所述功率半導體器件的制備方法包括：S1，采用外延工藝，在N+襯底11表面外延一層所需厚度的N-外延層12和P-外延層，形成N基體1；S2，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間N+層13區域，利用注入不同能量氮離子或磷離子，使相應P-外延層中的中間N+層13對應的區域補償為N型摻雜形成中間N+層13；這樣，首先通過外延工藝外延出一個P-外延層，然后再在該P-外延層上注入相應的N型半導體雜質形成中間N+層13，P-外延層中的一部分留作溝道P-層31；S3，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的P+1層32，利用注入不同能量鋁離子注入到有源層不同深度相應區域形成P+1層32；S4，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的P+2層33，利用注入不同能量鋁離子注入到有源層不同深度相應區域形成P+2層33，P+1層32、P+2層33和P-層構成P區3；S5，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間P+層4區域，注入鋁離子，形成中間P+層4；S6，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的區域，利用注入不同能量氮離子或磷離子相應區域，形成有源區N+層2；S7，采用熱氧化工藝，在N基體1表面使用熱氧化生長一層氧化層，形成柵氧化層5；S8，采用淀積工藝，在柵氧化層5上面淀積一層多晶硅，形成多晶硅柵6；S9，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出不同的多晶硅柵6區域，并刻蝕掉不需要的多晶硅；S10，采用淀積工藝，在多晶硅柵6表面淀積一層絕緣介質層7，作為多晶硅柵6與金屬的電隔離；S11，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出有源層孔層和不同多晶硅柵6上的孔層，并刻蝕掉不需要的絕緣介質層7；S12，采用淀積工藝，在絕緣介質層7上淀積一層金屬；S13，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出有源層金屬區域和柵極金屬區域，進行刻蝕，形成器件的有源區電極和柵極電極；所述S1-S2還可以被替換為：采用外延工藝，在N+襯底11表面外延一層所需厚度的N-外延層12，形成N基體1；采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出溝道P-層31區域，注入鋁離子，形成溝道P-層31；采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間N+層13區域，利用注入不同能量氮離子或磷離子，形成中間N+層13；這樣，通過在N-外延層12上注入不同離子分別形成溝道P-層31和中間N+層13。

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