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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇宏微科技股份有限公司申請的專利一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112652666B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011552697.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法是由張景超;戚麗娜;林茂;井亞會;趙善麒設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述功率半導(dǎo)體器件包括N基體和中間P+層，所述N基體的頂部兩端均設(shè)有有源區(qū)N+層和包裹所述有源區(qū)N+層的P區(qū)，所述P區(qū)包括溝道P?層，所述溝道P?層被配置在所述有源區(qū)N+層的內(nèi)側(cè)，所述柵氧化層被配置在所述N基體的表面中部，并覆蓋到所述有源區(qū)N+層，所述中間P+層被配置在兩個所述P區(qū)之間，且與兩個所述P區(qū)相連。本發(fā)明提供的一種功率半導(dǎo)體器件，能夠在漏極施壓時降低柵氧化層承受的電場強度，減小柵氧化層被擊穿的幾率，提高器件的可靠性，同時可保證器件的溝道密度。

本發(fā)明授權(quán)一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：N基體1，所述N基體1的頂部兩端均設(shè)有有源區(qū)N+層2和包裹所述有源區(qū)N+層2的P區(qū)3；P區(qū)3，所述P區(qū)3包括溝道P-層31，所述溝道P-層31被配置在所述有源區(qū)N+層2的內(nèi)側(cè)；柵氧化層5，所述柵氧化層5被配置在所述N基體1的表面中部，并覆蓋到所述有源區(qū)N+層2；中間P+層4，所述中間P+層4被配置在兩個所述P區(qū)3之間，且與兩個所述P區(qū)3相連；所述中間P+層4為多個，間隔地沿垂直于所述功率半導(dǎo)體器件的元胞結(jié)構(gòu)截面的方向平行排布；所述中間P+層4包括第一中間P+層和第二中間P+層，所述第一中間P+層被配置在兩個所述溝道P-層31之間，所述第二中間P+層由所述溝道P-層31經(jīng)過高摻雜形成；所述功率半導(dǎo)體器件的制備方法包括：S1，采用外延工藝，在N+襯底11表面外延一層所需厚度的N-外延層12和P-外延層，形成N基體1；S2，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間N+層13區(qū)域，利用注入不同能量氮離子或磷離子，使相應(yīng)P-外延層中的中間N+層13對應(yīng)的區(qū)域補償為N型摻雜形成中間N+層13；這樣，首先通過外延工藝外延出一個P-外延層，然后再在該P-外延層上注入相應(yīng)的N型半導(dǎo)體雜質(zhì)形成中間N+層13，P-外延層中的一部分留作溝道P-層31；S3，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的P+1層32，利用注入不同能量鋁離子注入到有源層不同深度相應(yīng)區(qū)域形成P+1層32；S4，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的P+2層33，利用注入不同能量鋁離子注入到有源層不同深度相應(yīng)區(qū)域形成P+2層33，P+1層32、P+2層33和P-層構(gòu)成P區(qū)3；S5，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間P+層4區(qū)域，注入鋁離子，形成中間P+層4；S6，采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出需要注入的區(qū)域，利用注入不同能量氮離子或磷離子相應(yīng)區(qū)域，形成有源區(qū)N+層2；S7，采用熱氧化工藝，在N基體1表面使用熱氧化生長一層氧化層，形成柵氧化層5；S8，采用淀積工藝，在柵氧化層5上面淀積一層多晶硅，形成多晶硅柵6；S9，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出不同的多晶硅柵6區(qū)域，并刻蝕掉不需要的多晶硅；S10，采用淀積工藝，在多晶硅柵6表面淀積一層絕緣介質(zhì)層7，作為多晶硅柵6與金屬的電隔離；S11，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出有源層孔層和不同多晶硅柵6上的孔層，并刻蝕掉不需要的絕緣介質(zhì)層7；S12，采用淀積工藝，在絕緣介質(zhì)層7上淀積一層金屬；S13，采用光刻和刻蝕工藝，光刻定義出有源層金屬區(qū)域和柵極金屬區(qū)域，進行刻蝕，形成器件的有源區(qū)電極和柵極電極；所述S1-S2還可以被替換為：采用外延工藝，在N+襯底11表面外延一層所需厚度的N-外延層12，形成N基體1；采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出溝道P-層31區(qū)域，注入鋁離子，形成溝道P-層31；采用光刻和離子注入工藝，光刻定義出中間N+層13區(qū)域，利用注入不同能量氮離子或磷離子，形成中間N+層13；這樣，通過在N-外延層12上注入不同離子分別形成溝道P-層31和中間N+層13。

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