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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利集成電路、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成溝槽電容器的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113053877B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011563976.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/00；該發(fā)明授權(quán)集成電路、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成溝槽電容器的方法是由鄭新立;林均穎;亞歷山大卡爾尼斯基;黃士芬;蘇淑慧;許庭禎;簡(jiǎn)鐸欣;徐英杰;吳細(xì)閔;張聿騏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本集成電路、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成溝槽電容器的方法在說明書摘要公布了：本公開的各種實(shí)施例涉及一種包含鄰接溝槽電容器的柱結(jié)構(gòu)的集成電路IC。襯底具有定義溝槽的多個(gè)側(cè)壁。溝槽延伸到襯底的前側(cè)表面中。溝槽電容器包含多個(gè)電容器電極層和多個(gè)電容器介電層，多個(gè)電容器電極層和多個(gè)電容器介電層分別襯于溝槽且定義襯底內(nèi)的空腔。柱結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底內(nèi)。柱結(jié)構(gòu)具有第一寬度和小于第一寬度的第二寬度。第一寬度與襯底的前側(cè)表面對(duì)準(zhǔn)，且第二寬度與設(shè)置在前側(cè)表面之下的第一點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明授權(quán)集成電路、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成溝槽電容器的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括：襯底，包括定義溝槽的多個(gè)側(cè)壁，其中所述溝槽延伸到所述襯底的前側(cè)表面中；溝槽電容器，包括多個(gè)電容器電極層和多個(gè)電容器介電層，所述多個(gè)電容器電極層和所述多個(gè)電容器介電層分別襯于所述溝槽且定義所述襯底內(nèi)的空腔；以及柱結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述襯底內(nèi)且鄰接所述溝槽，其中所述柱結(jié)構(gòu)具有第一寬度和小于所述第一寬度的第二寬度，其中所述第一寬度與所述襯底的所述前側(cè)表面對(duì)準(zhǔn)且所述第二寬度與設(shè)置在所述前側(cè)表面之下的第一點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，其中所述多個(gè)電容器電極層和所述多個(gè)電容器介電層與所述柱結(jié)構(gòu)的側(cè)壁共形。

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