恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司鄭新立獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成電路、半導體結構及形成溝槽電容器的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113053877B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011563976.1，技術領域涉及：H10D84/00；該發明授權集成電路、半導體結構及形成溝槽電容器的方法是由鄭新立;林均穎;亞歷山大卡爾尼斯基;黃士芬;蘇淑慧;許庭禎;簡鐸欣;徐英杰;吳細閔;張聿騏設計研發完成，并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路、半導體結構及形成溝槽電容器的方法在說明書摘要公布了：本公開的各種實施例涉及一種包含鄰接溝槽電容器的柱結構的集成電路IC。襯底具有定義溝槽的多個側壁。溝槽延伸到襯底的前側表面中。溝槽電容器包含多個電容器電極層和多個電容器介電層，多個電容器電極層和多個電容器介電層分別襯于溝槽且定義襯底內的空腔。柱結構設置于襯底內。柱結構具有第一寬度和小于第一寬度的第二寬度。第一寬度與襯底的前側表面對準，且第二寬度與設置在前側表面之下的第一點對準。
本發明授權集成電路、半導體結構及形成溝槽電容器的方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括：襯底，包括定義溝槽的多個側壁，其中所述溝槽延伸到所述襯底的前側表面中；溝槽電容器，包括多個電容器電極層和多個電容器介電層，所述多個電容器電極層和所述多個電容器介電層分別襯于所述溝槽且定義所述襯底內的空腔；以及柱結構，設置于所述襯底內且鄰接所述溝槽，其中所述柱結構具有第一寬度和小于所述第一寬度的第二寬度，其中所述第一寬度與所述襯底的所述前側表面對準且所述第二寬度與設置在所述前側表面之下的第一點對準，其中所述多個電容器電極層和所述多個電容器介電層與所述柱結構的側壁共形。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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