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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113314609B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110004234.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)半導體器件及方法是由黃玉蓮;王冠人;傅勁逢設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體器件及方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及方法。在實施例中，一種結(jié)構(gòu)包括：襯底之上的接觸蝕刻停止層CESL；延伸穿過CESL的鰭；鰭中的外延源極漏極區(qū)域，外延源極漏極區(qū)域延伸穿過CESL；接觸外延源極漏極區(qū)域的上刻面的硅化物；接觸硅化物、外延源極漏極區(qū)域的下刻面以及CESL的第一表面的源極漏極接觸件；以及圍繞源極漏極接觸件的層間電介質(zhì)ILD層，該ILD層接觸CESL的第一表面。

本發(fā)明授權(quán)半導體器件及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括：在第一電介質(zhì)層上沉積接觸蝕刻停止層CESL；在所述CESL上沉積第二電介質(zhì)層；在所述第二電介質(zhì)層、所述CESL和所述第一電介質(zhì)層中蝕刻溝槽；在所述溝槽中生長鰭；去除所述第二電介質(zhì)層；在所述鰭中蝕刻源極漏極凹槽，所述源極漏極凹槽延伸穿過所述CESL；在所述源極漏極凹槽中生長外延源極漏極區(qū)域；在所述外延源極漏極區(qū)域和所述CESL上沉積層間電介質(zhì)ILD層；利用各向同性蝕刻來穿過所述ILD層蝕刻開口，所述各向同性蝕刻去除所述ILD層的在所述外延源極漏極區(qū)域下方的部分，以暴露所述外延源極漏極區(qū)域的下刻面和所述CESL；以及在所述開口中形成源極漏極接觸件，所述源極漏極接觸件沿所述外延源極漏極區(qū)域的所述下刻面延伸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。