恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司付博獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利分柵式閃存存儲器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121972B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111428198.X，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權分柵式閃存存儲器及其制造方法是由付博;曹啟鵬;王卉;曹子貴設計研發完成，并于2021-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本分柵式閃存存儲器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種分柵式閃存存儲器及其制造方法，通過對半導體襯底進行熱處理，來形成至少覆蓋柵極結構的側壁的氧化保護層，通過所述熱處理形成的氧化保護層具有較高的致密性，可以對柵極結構中的電子起到較好的阻擋作用，防止柵極結構中的電子流失。進一步的，氧化保護層與其側壁上的柵極側墻相配合，可以進一步增加對柵極結構中電子的阻擋，從而有效防止柵極結構中的電子流失，進而提高分柵式閃存存儲器的數據保持能力和可靠性。此外，在對所述半導體襯底進行熱處理時，還能夠激活半導體襯底中的源漏區中的摻雜離子，故可以省去用于激活摻雜離子的退火工藝，節省工藝制程及工藝時間，提高制程效率。
本發明授權分柵式閃存存儲器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述分柵式閃存存儲器的制造方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極結構，所述柵極結構兩側暴露出部分所述半導體襯底，暴露的所述半導體襯底中形成有離子未激活的源漏區；對所述半導體襯底進行熱處理，以形成至少覆蓋所述柵極結構的側壁的氧化保護層，并激活所述源漏區中的摻雜離子；形成柵極側墻，所述柵極側墻覆蓋所述氧化保護層的側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江高科技園區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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