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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國電子科技集團公司第五十八研究所申請的專利一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法及結構獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114429938B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111583695.7，技術領域涉及：H01L23/473；該發(fā)明授權一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法及結構是由周超杰;夏晨輝;王剛;明雪飛;王成遷設計研發(fā)完成，并于2021-12-22向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法及結構在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法及結構，屬于集成電路封裝領域。對基板進行刻蝕填孔形成TSV銅柱并減薄制成硅基襯底；在硅基襯底上刻蝕出微流道槽和進出口通道盲孔；將微流道蓋板與硅基襯底進行硅硅鍵合；把TSV轉(zhuǎn)接芯片倒裝焊接至硅基襯底上，將異構芯片與微流道蓋板鍵合；用底填膠將TSV轉(zhuǎn)接芯片的倒裝焊處凸點間的縫隙填實；將倒裝的TSV轉(zhuǎn)接芯片和異構芯片進行灌封固化重構形成樹脂晶圓片；減薄漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱和異構芯片的凸點；在樹脂晶圓片上形成多層互聯(lián)再布線；對硅基襯底進行減薄；將異構芯片固定在芯片槽內(nèi)，依次實現(xiàn)的RDL和UBM多層互聯(lián)金屬再布線；在UBM處植上焊球，再對三維集成硅基圓片進行劃片形成最終的封裝體。

本發(fā)明授權一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法及結構在權利要求書中公布了：1.一種三維集成嵌入式微流道主動散熱封裝方法，其特征在于，包括：提供基板，對其進行刻蝕填孔形成TSV銅柱，并對具有TSV銅柱的表面減薄使其漏出，制成硅基襯底；在硅基襯底上具有TSV銅柱的表面刻蝕出微流道槽和進出口通道盲孔；將硅質(zhì)的微流道蓋板與硅基襯底進行硅硅鍵合，實現(xiàn)微流道密封，形成微流道單元；把長好凸點的TSV轉(zhuǎn)接芯片倒裝焊接至硅基襯底上；利用晶圓重構工藝，將長好凸點的異構芯片通過導熱膠與微流道蓋板鍵合；用底填膠將TSV轉(zhuǎn)接芯片的倒裝焊處凸點間的縫隙填實；利用晶圓級塑封工藝，用樹脂塑封料將倒裝的TSV轉(zhuǎn)接芯片和異構芯片進行灌封，固化重構形成樹脂晶圓片；對樹脂晶圓片進行減薄，漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱和異構芯片的凸點；使用晶圓級再布線工藝在樹脂晶圓片上形成多層互聯(lián)再布線；對硅基襯底的底部進行減薄，漏出TSV銅柱及微流道槽，并在硅基襯底的底部刻蝕出芯片槽；將重新提供的異構芯片通過導熱膠固定在芯片槽內(nèi)，使用Pi膠和晶圓級多層再布線工藝依次實現(xiàn)的RDL和UBM多層互聯(lián)金屬再布線；利用晶圓級植球工藝，在重構的多層硅基晶圓的UBM處植上焊球，再對三維集成硅基圓片進行劃片形成最終的封裝體。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >中國電子科技集團公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)惠河路5號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。