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龍圖騰網恭喜北京雪迪龍科技股份有限公司申請的專利一種多離子源質譜儀器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171369B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111576532.6，技術領域涉及：H01J49/10；該發明授權一種多離子源質譜儀器是由敖小強;魏文;胡丹;卞玉倩設計研發完成，并于2021-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多離子源質譜儀器在說明書摘要公布了：本發明屬于多離子源質譜檢測技術。本發明的多離子源質譜儀器，包括：試劑入口、空心陰極區域、試劑離子產生區、反應室、電極、樣品入口、EI樣品入口管線、差分真空接口板、差分真空接口孔、高真空腔體；所述試劑入口、空心陰極區域、試劑離子產生區、反應室和高真空腔體依次相連；所述樣品入口設置在在反應室靠近試劑離子產生區一側；所述反應室內部四周有多塊電極；所述EI樣品入口管線設置在靠近差分真空接口板一側的電極和差分真空接口板之間；所述差分真空接口板在反應室和高真空腔體相連處，在所述差分真空接口板中間設有差分真空接口孔。本發明的整個切換裝置無電機、磁鐵等可動部件結構簡單，可靠性高。

本發明授權一種多離子源質譜儀器在權利要求書中公布了：1.多離子源質譜儀器，其特征在于，包括：試劑入口、空心陰極區域、試劑離子產生區、反應室、電極、樣品入口、EI樣品入口管線、差分真空接口板、差分真空接口孔、高真空腔體和機械泵抽除口；所述試劑入口、空心陰極區域、試劑離子產生區、反應室和高真空腔體依次相連；所述樣品入口設置在在反應室靠近試劑離子產生區一側；所述反應室內部四周有多塊電極；所述EI樣品入口管線設置在靠近差分真空接口板一側的電極和差分真空接口板之間；所述差分真空接口板在反應室和高真空腔體相連處，在所述差分真空接口板中間設有差分真空接口孔；所述的高真空腔體包括：EI離子源、第一透鏡和第二透鏡；所述EI離子源、第一透鏡和第二透鏡距差分真空接口板由近及遠分布在高真空腔體內；所述EI離子源的出口正對第一透鏡的入口；所述第一透鏡的出口正對第二透鏡的入口；所述EI離子源包括：EI源燈絲、EI源接收電極A、EI源接收電極B和EI離子源室；所述EI源燈絲和EI源接收電極A位于EI離子源室同一側；所述EI源燈絲和EI源接收電極A與EI源接收電極B位于EI離子源室兩側；所述EI離子源室的出口正對第一透鏡的入口；所述機械泵抽除口設置在反應室下端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京雪迪龍科技股份有限公司，其通訊地址為：102206 北京市昌平區高新三街3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。