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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所申請的專利一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114637039B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210135474.1，技術領域涉及：G01T1/02；該發明授權一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器是由王菡濱;畢津順;卜建輝;趙發展;顏剛平設計研發完成，并于2022-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器在說明書摘要公布了：本發明公開一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器，涉及輻照探測技術領域。半導體輻照探測器包括：半導體場效應管，以及設置在半導體場效應管頂部后端的電容模塊；電容模塊被配置為在進行預充電后，隨著總劑量效應的不斷累積，電容模塊兩端電壓發生漂移，施加在所述半導體場效應管的柵極電壓基于所述電容模塊兩端電壓的漂移而漂移，確定所述半導體場效應管的漏極電流變化量；所述半導體場效應管被配置為基于所述漏極電流變化量確定輻照劑量變化量，可以使得半導體場效應管在保證了厚柵氧化層的情況下，通過電容模塊提高輻照劑量，使得半導體輻照探測器可以融入互補金屬氧化物半導體制造工藝中，降低在芯片上集成半導體輻照探測器的成本。

本發明授權一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器在權利要求書中公布了：1.一種針對總劑量效應損失的半導體輻照探測器，其特征在于，所述半導體輻照探測器包括：半導體場效應管，以及設置在所述半導體場效應管頂部后端的電容模塊；所述電容模塊包括至少一個電容；所述電容模塊被配置為在進行預充電后，隨著總劑量效應的不斷累積，所述電容模塊兩端電壓發生漂移，施加在所述半導體場效應管的柵極電壓基于所述電容模塊兩端電壓的漂移而漂移，確定所述半導體場效應管的漏極電流變化量；所述半導體場效應管被配置為基于所述漏極電流變化量確定輻照劑量變化量；所述電容包括第一金屬極板，以及依次設置在所述第一金屬極板上的金屬介質層和第二金屬極板；所述半導體場效應管包括：源漏及襯底，以及設置在所述源漏及襯底上的柵氧化層、柵極和金屬通孔金屬層；所述第一金屬極板設置在所述金屬通孔金屬層上方；所述金屬通孔金屬層包括遠離所述源漏及襯底依次設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；所述第一金屬層的第一部分設置在所述源漏及襯底上，所述第一金屬層的第二部分設置在所述柵極上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。