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龍圖騰網(wǎng)獲悉捷捷微電(南通)科技有限公司申請(qǐng)的專利Trench MOS結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114975123B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210552715.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)Trench MOS結(jié)構(gòu)及其制作方法是由方合;徐雷軍;王友偉;王維設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本Trench MOS結(jié)構(gòu)及其制作方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NTrenchMOS結(jié)構(gòu)及其制作方法，首先對(duì)外延層進(jìn)行Body注入形成注入?yún)^(qū)并進(jìn)行退火處理，再在注入?yún)^(qū)進(jìn)行源極離子注入及退火處理形成源極。之后再對(duì)外延層進(jìn)行刻蝕形成溝槽，于溝槽內(nèi)生長(zhǎng)形成柵氧化層，并在溝槽內(nèi)填充多晶硅。本方案中，在制作中先進(jìn)行Body注入和源極離子注入并退火，再進(jìn)行溝槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源極離子注入后退火的高溫對(duì)多晶硅產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響器件性能。

本發(fā)明授權(quán)Trench MOS結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種TrenchMOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在提供的襯底一側(cè)形成外延層；對(duì)所述外延層進(jìn)行body注入形成注入?yún)^(qū)，并進(jìn)行退火處理；在所述外延層中的注入?yún)^(qū)進(jìn)行源極離子注入及退火處理以形成源極；對(duì)所述外延層進(jìn)行刻蝕形成溝槽，所述溝槽位于源極之間；于所述溝槽內(nèi)生長(zhǎng)形成柵氧化層，并在所述溝槽內(nèi)填充多晶硅；所述對(duì)所述外延層進(jìn)行刻蝕形成溝槽的步驟，包括：在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成硬掩膜層；對(duì)所述硬掩膜層進(jìn)行光刻，以在所述外延層上定義出需形成溝槽的刻蝕區(qū)域；基于所述刻蝕區(qū)域?qū)λ鐾庋訉舆M(jìn)行刻蝕，以形成溝槽；所述方法還包括：在所述硬掩膜層和所述多晶硅的上方沉積BPSG，其中，所述硬掩膜層在溝槽制作后無(wú)需去除，直接作為BPSG下的阻擋層所用。

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