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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的電阻電容耦合硅控整流器結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115472604B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210685009.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的電阻電容耦合硅控整流器結(jié)構(gòu)是由庚潤;田志;姬峰設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的電阻電容耦合硅控整流器結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的硅控整流器結(jié)構(gòu)，包括P型襯底，P型襯底上形成有相鄰的N阱和P阱；N阱與P型襯底交界處設(shè)有第一淺溝槽隔離，N阱上設(shè)有第二淺溝槽隔離，從第一淺溝槽隔離至第二淺溝槽隔離間的N阱依次形成有間隔設(shè)置的第一N型離子注入層和第一P型離子注入層；第一N型離子注入層上設(shè)有第一連接結(jié)構(gòu)，用于引出陽極；P型襯底上形成有橫跨N阱與P型襯底的交界處的第二P型離子注入層，第二淺溝槽隔離至第二P型離子注入層間的N阱上形成有柵極。本發(fā)明通過改變RC的值可以調(diào)控觸發(fā)電壓；具有較高的維持電壓，并且通過改變過渡區(qū)的寬度來調(diào)控維持電壓；具有更高的閂鎖抗性。

本發(fā)明授權(quán)具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的電阻電容耦合硅控整流器結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有高維持電壓、低觸發(fā)電壓的電阻電容耦合硅控整流器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：P型襯底，所述P型襯底上形成有相鄰的N阱和P阱；所述N阱與所述P型襯底交界處設(shè)有第一淺溝槽隔離，所述N阱上設(shè)有第二淺溝槽隔離，從所述第一淺溝槽隔離至所述第二淺溝槽隔離間的所述N阱依次形成有間隔設(shè)置的第一N型離子注入層和第一P型離子注入層；所述第一N型離子注入層上設(shè)有第一連接結(jié)構(gòu)，用于引出陽極；所述P型襯底上形成有橫跨所述N阱與所述P型襯底的交界處的第二P型離子注入層，所述第二淺溝槽隔離至所述第二P型離子注入層間的所述N阱上形成有柵極；所述柵極與所述第二P型離子注入層上形成用于電性連接兩者的第二連接結(jié)構(gòu)；所述P阱與所述P型襯底交界處設(shè)有第五淺溝槽隔離，從所述第二P型離子注入層至所述第五淺溝槽隔離間的所述P阱,依次設(shè)有第三淺溝槽隔離、第二N型離子注入層、第四淺溝槽隔離、第三P型離子注入層；所述第二N型離子注入層和所述第三P型離子注入層上設(shè)有用于連接兩者的第三連接結(jié)構(gòu)，用于引出陰極；將阱電阻Rp和柵電容C組成RC電路嵌入到該結(jié)構(gòu)中，所述阱電阻Rp和所述柵電容C的值由所述P阱的摻雜濃度和局部場氧化物的厚度決定；陽極的P型離子注入層處于浮接狀態(tài)，所述柵極通過金屬互聯(lián)與橫跨的P型離子注入層相連接，相當(dāng)于產(chǎn)生一個所述阱電阻Rp。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。