恭喜友達光電股份有限公司吳尚霖獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜友達光電股份有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050839B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210863090.1，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由吳尚霖;陳衍豪設計研發完成，并于2022-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體裝置及其制造方法。半導體裝置包括基板、第一氧化物層、絕緣圖案、金屬氧化物層、柵介電層、柵極、源極以及漏極。第一氧化物層位于基板之上。絕緣圖案位于第一氧化物層上，且包括氮化硅層以及第二氧化物層。氮化硅層位于第一氧化物層與第二氧化物層之間。金屬氧化物層接觸第一氧化物層的上表面、絕緣圖案的側壁以及絕緣圖案的上表面。柵介電層位于金屬氧化物層上。柵極位于柵介電層上。部分絕緣圖案位于柵極與基板之間。源極以及漏極電性連接金屬氧化物層。
本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：一基板；一第一氧化物層，位于該基板之上；一絕緣圖案，位于該第一氧化物層上，且包括：一氮化硅層；以及一第二氧化物層，其中該氮化硅層位于該第一氧化物層與該第二氧化物層之間；一金屬氧化物層，接觸該第一氧化物層的上表面、該絕緣圖案的側壁以及該絕緣圖案的上表面；一柵介電層，位于該金屬氧化物層上；一柵極，位于該柵介電層上，其中部分該絕緣圖案位于該柵極與該基板之間；以及一源極以及一漏極，電性連接該金屬氧化物層，其中該金屬氧化物層包括一源極區、一漏極區以及位于該源極區與該漏極區之間的一通道區，其中該源極區與該基板之間的距離小于該漏極區與該基板之間的距離，其中該漏極區的氫濃度大于該源極區的氫濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人友達光電股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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