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龍圖騰網恭喜杭州電子科技大學;杭州電子科技大學上虞科學與工程研究院有限公司申請的專利一種于柔性襯底上制備納米結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115928004B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211239413.6，技術領域涉及：C23C14/02；該發明授權一種于柔性襯底上制備納米結構的方法是由溫嘉紅;梁龍杰;趙曉宇;張永軍;王雅新設計研發完成，并于2022-10-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種于柔性襯底上制備納米結構的方法在說明書摘要公布了：一種于柔性襯底上制備納米結構的方法,包括以下步驟：制備PDMA柔性襯底；在所述PDMA柔性襯底上制備六方密排的聚苯乙烯小球陣列，得到柔性襯底上的聚苯乙烯小球陣列；制備PVA水溶膠；將所述PVA水溶膠，旋涂至所述柔性襯底上的聚苯乙烯小球陣列，使得聚苯乙烯小球陣列表面覆蓋PVA膠；通過等離子清洗聚苯乙烯小球陣列表面覆蓋的所述PVA膠進行刻蝕，以減少聚苯乙烯小球陣列表面PVA膠層的厚度，使聚苯乙烯小球不被PVA膠完全覆蓋；利用磁控濺射在經過所述刻蝕PVA膠處理后的聚苯乙烯小球陣列表面上沉積銀和二氧化硅；用氫氟酸進行表面化學處理，部分去除所述沉積到聚苯乙烯小球表面的二氧化硅，得到柔性襯底上的銀納米結構。

本發明授權一種于柔性襯底上制備納米結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種于柔性襯底上制備納米結構的方法,其特征在于，包括以下步驟：S1制備PDMS柔性襯底；S2在所述PDMS柔性襯底上制備六方密排的聚苯乙烯小球陣列，得到柔性襯底上的聚苯乙烯小球陣列；S3制備PVA水溶膠；S4將所述PVA水溶膠，旋涂至所述S2中得到的柔性襯底上的聚苯乙烯小球陣列，使得聚苯乙烯小球陣列表面覆蓋PVA膠；S5通過等離子清洗聚苯乙烯小球陣列表面覆蓋的所述PVA膠進行刻蝕，以減少聚苯乙烯小球陣列表面PVA膠層的厚度，使聚苯乙烯小球不被PVA膠完全覆蓋；所述刻蝕的時間范圍為90s到240s；S6利用磁控濺射在經過所述S5刻蝕PVA膠處理后的聚苯乙烯小球陣列表面上沉積銀和二氧化硅；S7對所述S6中沉積到聚苯乙烯小球表面的所述二氧化硅，用氫氟酸進行表面化學處理，得到柔性襯底上的銀納米結構;所述步驟S2中在所述PDMS柔性襯底上制備六方密排的聚苯乙烯小球陣列的方法包括以下步驟；將直徑500nm聚苯乙烯小球和無水乙醇的按照體積比為1:1混合，再通過超聲處理使聚苯乙烯小球均勻分散，得到聚苯乙烯小球分散液，取一塊硅片，用移液槍將聚苯乙烯小球分散液滴在硅片上，使聚苯乙烯小球分散液均勻分布在硅片上，將硅片緩慢傾斜的滑入液面平穩的器皿中，在水面上形成密排的聚苯乙烯小球陣列，最后用S1中得到的PDMS柔性襯底將浮在水面上的小球陣列緩慢的撈起來,進行吸水干燥;所述步驟S6中，所述磁控濺射包括以下步驟：將銀靶和二氧化硅靶各自向所述柔性襯底傾斜40度，同時進行濺射，濺射銀的功率為10W,濺射二氧化硅功率為40W，濺射開始前背景氣壓為4.5×10-4Pa，通入25sccm的Ar，濺射時背景氣壓為1.5Pa，濺射時間為10min，沉積得到的銀和硅的元素質量比為4：1。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學;杭州電子科技大學上虞科學與工程研究院有限公司，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市錢塘新區白楊街道2號大街1158號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。