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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫曠通半導(dǎo)體有限公司申請的專利多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件獲國家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN222655651U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202323446426.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該實(shí)用新型多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件是由廖巍;華路佳;呂春設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-12-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，包括，襯底，所述襯底上制備硅外延層，所述硅外延層的表面推進(jìn)有P型體區(qū)和有源區(qū)N型離子層，所述有源區(qū)N型離子層的深度大于P型體區(qū)；有源區(qū)溝槽，所述有源區(qū)溝槽開設(shè)于硅外延層上，且深度介于P型體區(qū)和有源區(qū)N型離子層之間；一級溝槽，所述一級溝槽開設(shè)于硅外延層上；二級溝槽，所述二級溝槽開設(shè)于硅外延層上，所述二級溝槽沿所述一級溝槽的側(cè)壁開設(shè)，且所述二級溝槽的寬度大于一級溝槽、深度小于一級溝槽。本申請使用多次挖槽刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)多層級溝槽，在溝槽底部實(shí)現(xiàn)深注入的半包屏蔽隔離的離子注入層，減少芯片面積的同時實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的導(dǎo)通電阻與通流能力。

本實(shí)用新型多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多級溝槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，其特征在于：包括，襯底，所述襯底上制備硅外延層，所述硅外延層的表面推進(jìn)有P型體區(qū)和有源區(qū)N型離子層，所述有源區(qū)N型離子層的深度大于P型體區(qū)；有源區(qū)溝槽，所述有源區(qū)溝槽開設(shè)于硅外延層上，且深度介于P型體區(qū)和有源區(qū)N型離子層之間；一級溝槽，所述一級溝槽開設(shè)于硅外延層上；二級溝槽，所述二級溝槽開設(shè)于硅外延層上，所述二級溝槽沿所述一級溝槽的側(cè)壁開設(shè)，且所述二級溝槽的寬度大于一級溝槽、深度小于一級溝槽。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人無錫曠通半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：214142 江蘇省無錫市新吳區(qū)新安街道清源路20號立業(yè)樓C521；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。