買(mǎi)專利賣(mài)專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件制備方法以及半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111916397B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010842754.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件制備方法以及半導(dǎo)體器件是由張欽福;馮立偉;童宇誠(chéng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體器件制備方法以及半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件制備方法以及半導(dǎo)體器件，通過(guò)在基底上形成疊層結(jié)構(gòu)，其中，基底包括單元陣列區(qū)、外圍電路區(qū)以及位于單元陣列區(qū)與外圍電路區(qū)之間的中間區(qū)域；在中間區(qū)域形成環(huán)繞單元陣列區(qū)外圍的保護(hù)環(huán)溝槽；在疊層結(jié)構(gòu)中第二介電層的上表面沉積第一絕緣材料形成第二支撐層，在保護(hù)環(huán)溝槽的底表面和側(cè)壁沉積第二絕緣材料形成保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)；在單元陣列區(qū)形成電容結(jié)構(gòu)。該方法通過(guò)先形成保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，可以避免后續(xù)在單元陣列區(qū)形成電容結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)外圍電路區(qū)的蝕刻，另外，還可以支撐單元陣列區(qū)的電極結(jié)構(gòu)、提高結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，以及對(duì)單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)進(jìn)行物理隔離，避免電流泄漏，從而極大的提高了半導(dǎo)體器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件制備方法以及半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，包括： 在基底上形成疊層結(jié)構(gòu)，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)包括在所述基底上依次形成的第一介電層、第一支撐結(jié)構(gòu)和第二介電層，所述基底包括單元陣列區(qū)、外圍電路區(qū)以及位于所述單元陣列區(qū)與所述外圍電路區(qū)之間的中間區(qū)域； 在所述中間區(qū)域形成環(huán)繞所述單元陣列區(qū)外圍的多個(gè)保護(hù)環(huán)溝槽； 在所述第二介電層的上表面沉積第一絕緣材料形成第二支撐層，在所述多個(gè)保護(hù)環(huán)溝槽的底表面和側(cè)壁沉積第二絕緣材料形成保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)；所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)保護(hù)環(huán)，所述多個(gè)保護(hù)環(huán)沿著垂直于所述基底的方向延伸，且延伸深度不相同； 在所述單元陣列區(qū)形成電容結(jié)構(gòu)。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。