恭喜株式會社日本顯示器望月真里奈獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社日本顯示器申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114586162B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080074284.2，技術領域涉及：H10K39/30；該發明授權半導體器件是由望月真里奈;鈴村功設計研發完成，并于2020-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件在說明書摘要公布了：在包括使用銀來作為光導電膜的陰極的光傳感器在內的半導體器件中，防止因銀的氧化引起的電阻上升和光反射特性的下降。一種半導體器件，其在襯底100之上形成有薄膜晶體管，其特征在于，與所述薄膜晶體管電連接的電極由銀膜128形成，在所述銀膜之上形成有第一ITO膜129，在所述第一ITO膜129之上形成有氧化鋁AlOx膜130。
本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其在襯底之上形成有薄膜晶體管，其特征在于， 與所述薄膜晶體管電連接的電極由銀膜形成，在所述銀膜之上形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜之上形成有AlOx膜，其中，所述AlOx膜為氧化鋁膜， 所述半導體器件具有光傳感器， 所述光傳感器在所述薄膜晶體管的上層包括光電二極管，所述光電二極管由陰極、在所述陰極之上形成的光導電膜、以及在所述光導電膜之上形成的陽極構成， 所述電極為所述光電二極管的陽極， 所述銀膜的厚度為90nm～200nm。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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