恭喜無錫華瑛微電子技術有限公司溫子瑛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜無錫華瑛微電子技術有限公司申請的專利半導體處理裝置、半導體處理系統和半導體邊緣處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188265B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111074547.2，技術領域涉及：H01L21/687；該發明授權半導體處理裝置、半導體處理系統和半導體邊緣處理方法是由溫子瑛設計研發完成，并于2021-09-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體處理裝置、半導體處理系統和半導體邊緣處理方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體晶圓邊緣表面處理裝置，其包括含具有支撐晶圓的第一支撐區的下腔室，具有第二支撐區的上腔室以及第一支撐區、第二支撐區及其邊緣區域形成的第一通道。上腔室與下腔室閉合，使得晶圓被放置在第一支撐區和第二支撐區之間。第一通道提供第一空間來流動一種或多種化學流體用于腐蝕晶圓邊緣區域。上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圓的邊緣外端并使晶圓的中心軸與第二支撐區的中心軸對齊。本發明能夠實現對半導體晶圓外緣的處理。
本發明授權半導體處理裝置、半導體處理系統和半導體邊緣處理方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體處理裝置，其特征在于：其包括： 具有支撐晶圓的第一支撐區的下腔室； 具有第二支撐區的上腔室，其中當上腔室與下腔室閉合時，晶圓放置于第一支撐區和第二支撐區之間； 第二支撐區的邊緣區域形成第一通道，并且一種或多種化學流體通過位于上腔室的第一通孔在第一空間和裝置外部之間流通，第一支撐區的邊緣區域形成第二通道，提供第二空間來流通用于腐蝕晶圓邊緣區域的一種或多種化學流體，下腔室提供第二通孔用來實現一種或多種化學流體在下腔室的第二空間與裝置外部之間的流通； 其中上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圓的邊緣外端并使晶圓的中心軸與第二支撐區的中心軸對齊， 其中第一槽道位于下腔室的邊緣區域，并提供流動一種或多種化學流體的第一槽道空間，同時在上腔室和下腔室之間形成一個過道，該過道連接第一空間和第一槽道空間，使得一種或多種化學流體通過該過道從第一空間流入第一槽道空間。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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