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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利一種全差分低失調高增益運算放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116722830B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310758597.5，技術領域涉及：H03F3/45；該發明授權一種全差分低失調高增益運算放大器是由李澤宏;汪鑫;曾傳揚設計研發完成，并于2023-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種全差分低失調高增益運算放大器在說明書摘要公布了：本發明屬于運算放大器技術領域，具體涉及一種全差分低失調高增益運算放大器。本發明包括運算放大器核心和前饋共模反饋，運放放大器核心對差分信號進行放大，前饋共模反饋電路穩定輸入輸出的共模電壓。本發明使用了浮動偏置的共柵級電路和高增益NPN管串聯電阻作為電流鏡，顯著提高了增益，降低了輸入失調電壓，同時具有較高的輸出擺幅和良好的穩定性，適合在模擬前端可編程增益電路使用。

本發明授權一種全差分低失調高增益運算放大器在權利要求書中公布了：1.一種全差分低失調高增益運算放大器，其特征在于，包括增益級電路、輸出級電路、密勒補償電路和前饋共模反饋電路； 所述增益級電路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1和第二電阻R2；其中第三MOS管M3的源極接電源，其柵極接前饋共模反饋電路的共模反饋輸出，其漏極接第一MOS管M1的源極和第二MOS管M2的源極；第一MOS管M1的柵極接放大器的負向輸入端，其漏極接第四MOS管M4的源極；第二MOS管M2的柵極接放大器的正向輸入端，其漏極接第五MOS管M5的源極；第四MOS管M4的柵極和第五MOS管M5的柵極連接浮動偏置電壓，第四MOS管M4的漏極接第一三極管Q1的集電極，第五MOS管M5的漏極接第二三極管Q2的集電極；第一三極管Q1的基極和第二三極管Q2的基極接偏置電壓，第一三極管Q1的發射極通過第一電阻R1后接地，第二三極管Q2的發射極通過第二電阻R2后接地； 所述密勒補償電路包括第一電容C1、第二電容C2、第三電阻R3和第四電阻R4，所述輸出級電路包括第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9；其中第六MOS管M6的源極接電源，其漏極通過第一電容C1和第三電阻R3后接第四MOS管M4的漏極和第九MOS管M9的柵極，第六MOS管M6的漏極還接第九MOS管M9的漏極，第六MOS管M6的柵極接前饋共模反饋電路的前饋輸出；第七MOS管M7的源極接電源，其漏極通過第二電容C2和第四電阻R4后接第五MOS管M5的漏極和第八MOS管M8的柵極，第七MOS管M7的柵極接前饋共模反饋電路的前饋輸出；第八MOS管M8的源極和第九MOS管M9的源極接地； 所述前饋共模反饋電路包括第三電容C3、第四電容C4、第五電阻R5、第六電阻R6、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14；其中第三電容C3和第五電阻R5構成第一并聯電路，第一并聯電路的一端接第十二MOS管M12的柵極，另一端接第七MOS管M7的漏極；第四電容C4和第六電阻R6構成第二并聯電路，第二并聯電路的一端接第十二MOS管M12的柵極，另一端接第六MOS管M6的漏極；第十MOS管M10的源極接電源，其柵極和漏極互連，其漏極接第十二MOS管M12的漏極，第十MOS管M10的漏極為前饋共模反饋電路的共模反饋輸出；第十一MOS管M11的源極接電源，其柵極和漏極互連，其漏極接第十三MOS管M13的漏極，第十一MOS管M11的漏極為前饋共模反饋電路的前饋輸出；第十三MOS管M13的柵極接共模電源，第十三MOS管M13的源極接第十二MOS管M12的源極和第十四MOS管M14的漏極；第十四MOS管M14的柵極接偏置電壓，其源極接地； 第六MOS管M6的漏極連接放大器的負向輸出端，第七MOS管M7的漏極連接放大器的正向輸出端。

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